[发明专利]一种导电膜的制备方法以及导电膜

说明书

本公开实施例提供一种导电膜的制备方法以及导电膜，所述制备方法包括：清洗所述衬底层；将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式。本公开实施例通过设置梯度过度的膜层，从而改善复合膜层的应力，生长缺陷，尤其是膜层的粗糙度，还能为进一步核心功能层的沉积打好基础，有助于作为核心层的金属层趋近于层状生长，同时实现同等膜厚的情况下电阻率最低，粗糙度最小。

技术领域

本公开涉及一种导电装置领域，具体涉及一种导电膜的制备方法以及导电膜。

背景技术

为满足人民日益增长的物质文化需求，在超市中的冷藏展示区正逐步实现美观和可视化，在冷藏展示区往往设置透明导电膜。但是现有的透明导电膜不能兼顾高透过和低能耗的特点，这与碳达峰的目标相背离；同时，现有的透明导电膜的色彩还原度比较低，通过其观察物品会造成偏色，影响顾客对于物品的选购。具体地，由于冷藏柜内部温度低，外部水汽含量高，造成开关门取商品时容易结露，这样会影响后续顾客的对于展示柜内商品的选购。现有技术是通过电加热迅速除去结露，这样造成能源的极大浪费。

此外，采暖和空调能耗占社会总能耗的20％，随着碳达峰的提出，被动式节能建筑再次上升到新的高度。根据热力学定律可知，能量损耗的三种方式分别为辐射，对流和传导。全球温带气候区域由于夏天和冬天的太阳入射角度的不同，夏季对于遮阳的要求可通过遮阳蓬实现，夏季以外的时间尤其是冬季，人们希望太阳的热量可以尽可能多的进入到室内，同时不想暖气或者空调带来的宝贵热量损失。中空或者真空的应用可以极大地减少对流和传导的能量损失，然而透明导电膜可以实现减少通过辐射方式的能量损失。但是，高的太阳能的透过率和低的辐射能量损失是矛盾的存在，仅仅增加导电层会造成太阳能透过的减少，同时可以减少辐射能力损失。现有的导电膜的结构均不能导电膜中实现例如金属银(Ag)层的层状生长，造成生产材料浪费的同时，并未达到材料性能的最大化。

此外，当今是互联网的时代，集成电路和各种元器件是基础，薄膜技术是制作芯片，传感器、集成电路等的基础。随着器件的微型化，轻量化等趋势，对膜层材料纯度，应力，以及生长过程中的各种缺陷都提出了越来越严格的要求。溅射方式生长的膜层生长方式一般为层岛状生长，当膜层在十几纳米的厚度时候，膜层的粗糙度可能达到十几纳米。当这样的膜层作为基础层时，时远远不能满足要求的。

在制作导电膜的工艺技术中，由于应力的存在，随着膜层的加厚，膜层会存在开裂或者脱落的风险，这极大的影响了厚膜的应用，尤其是在半导体封装等领域，如果膜层有微裂纹的存在，将严重影响器件的使用寿命。在工具镀和装饰镀等领域，当膜层应力得不到释放会影响工具的性能和寿命。

发明内容

为了解决现有技术中出现的问题，本公开实施例提供一种导电膜的制备方法，其包括：清洗所述衬底层；将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式，在沉积过程中通入氧气或者氩气。

在一些实施例中，所述平坦层的镀膜装置的设备总功率为20.0-40.0kW，将所述平坦层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

在一些实施例中，包括镀膜形成所述第一平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在20.0-40.0kW的范围，将所述第一平坦层的沉积厚度设置为 10.0-40.0nm；镀膜形成所述第二平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在 30.0-40.0kW的范围，将所述第二平坦层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

在一些实施例中，所述梯度种子层的镀膜装置的设备总功率控制在 20.0-40.0kW的范围，将所述梯度种子层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

在一些实施例中，所述金属层的镀膜装置的设备总功率控制在6-8.0kW 的范围，将所述金属层的沉积厚度设置为10.0-20.0nm。