[发明专利]一种导电膜的制备方法以及导电膜

权利要求书

1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括：

清洗所述衬底层；

将所述衬底层传输至镀膜腔室中进行镀膜，通过镀膜依次形成平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，在形成所述梯度种子层的过程中采用梯度沉积方式，在沉积过程中通入氧气或者氩气。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述平坦层的镀膜装置的设备总功率为20.0-40.0kW，将所述平坦层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包括镀膜形成所述第一平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在20.0-40.0kW的范围，将所述第一平坦层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm；镀膜形成所述第二平坦层，镀膜装置的设备总功率控制在30.0-40.0kW的范围，将所述第二平坦层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述梯度种子层的镀膜装置的设备总功率控制在20.0-40.0kW的范围，将所述梯度种子层的沉积厚度设置为10.0-40.0nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的镀膜装置的设备总功率控制在6-8.0kW的范围，将所述金属层的沉积厚度设置为10.0-20.0nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蛛网层的镀膜装置的设备总功率控制在1.0-5.0kW的范围，将所述蛛网层的沉积厚度设置为0.3-1.0nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述种子层的镀膜装置的设备总功率控制在10.0-25.0kW的范围，将所述种子层的沉积厚度设置为10-40nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括镀膜形成第一调色层，镀膜装置的设备总功率控制在10.0-35.0kW的范围，将所述第一调色层的沉积厚度设置为10-40nm；镀膜形成第二调色层，镀膜装置的设备总功率控制在10.0-35.0kW的范围，将所述第二调色层1062的沉积厚度设置为10-20nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层采用银沉积。

10.一种导电膜，其特征在于，通过上述权利要求1-9中任一项所述制备方法制备。