[发明专利]一种相变存储单元及其制作方法

权利要求书

1.一种相变存储单元，其特征在于，包括：

衬底(1)；

至少一个下电极(2)，所述下电极(2)设置于衬底(1)中，所述下电极(2)的上接触面暴露于衬底(1)外且与衬底(1)上表面持平；

相变材料层(4)，所述相变材料层(4)水平部分与下电极(2)连接，所述相变材料层(4)为L形；

填充材料，所述填充材料设置于相变材料层(4)竖直部分上方，并与相变材料层(4)一同构成相变存储结构；

上电极(10)，所述上电极(10)设置于相变材料层(4)的上方。

2.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述填充材料为依次填充的隔离材料(8)和OTS材料(9)。

3.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述填充材料为加热电极材料(11)。

4.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，还包括支撑结构(3)，所述支撑结构(3)设置于衬底(1)上、且位于下电极(2)的一侧，所述支撑结构(3)与所述相变存储结构连接。

5.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，当所述下电极(2)个数为复数时，还包括隔离槽(6)，所述隔离槽(6)用于将相变材料层(4)进行分离。

6.根据权利要求5所述的相变存储单元，其特征在于，还包括绝缘层(7)，所述绝缘层(7)填充于隔离槽(6)，并填充至与相变存储结构的上表面齐平。

7.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，还包括包覆层(5)，所述包覆层(5)覆盖于相变存储结构上。

8.一种相变存储单元制作方法，其特征在于，包括：

步骤(1)：在衬底(1)中镶嵌至少一个下电极(2)，并使下电极(2)的上接触面暴露于衬底(1)外且与衬底(1)上表面持平；

步骤(2)：在所述衬底(1)上、且在所述下电极(2)的一侧设置一支撑结构(3)；

步骤(3)：在所述下电极(2)的上接触面、且在支撑结构(3)的侧壁表面设置一L形的相变材料层(4)；

步骤(4)：在所述相变材料层(4)沿平行于支撑结构(3)的侧壁方向进行刻蚀，形成隔离槽(6)，并使用绝缘层(7)在刻蚀好的相变材料层(4)周围空间和隔离槽(6)周围空间进行填充；

步骤(5)：对所述绝缘层(7)进行抛光，抛光至绝缘层(7)上表面、支撑结构(3)上表面、相变材料层(4)上表面持平；

步骤(6)：在抛光好的相变材料层(4)的上方进行自对准刻蚀，形成限定型孔；

步骤(7)：在所述限定型孔中放置填充材料，所述填充材料与相变材料层(4)一同构成相变存储结构；

步骤(8)：在所述填充材料的上表面设置上电极(10)。

9.根据权利要求8所述的相变存储单元制作方法，其特征在于，所述步骤(3)和步骤(4)之间还包括：在所述相变材料层(4)外周覆盖一包覆层(5)。

10.根据权利要求7所述的相变存储单元制作方法，其特征在于，所述填充材料为依次填充的隔离材料(8)和OTS材料(9)或加热电极材料(11)。