[发明专利]匀流装置、工艺腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种匀流装置，用于均匀地将工艺气体输送至工艺腔室中，其特征在于，所述匀流装置包括环形支撑件和环形盖板，所述环形支撑件用于设置于所述工艺腔室的腔体上，所述环形盖板以可拆卸的方式密封设置于所述环形支撑件上，其中，在所述环形支撑件和所述环形盖板彼此相对的两个表面之间形成有凹凸结构，所述凹凸结构形成有沿所述环形支撑件的径向间隔设置的多个匀流腔，以及设置在各相邻的两个所述匀流腔之间，用于将二者连通的连接通道，且不同的所述连接通道在所述环形支撑件的轴向上相互错开；

在所述环形盖板中设置有进气通道，所述进气通道的进气端用于与进气装置连接，所述进气通道的出气端与最靠近所述环形支撑件外侧的所述匀流腔连通；

所述环形支撑件中设置有出气通道，所述出气通道的进气端与最靠近所述环形支撑件内侧的所述匀流腔连通，所述出气通道的出气端与所述工艺腔室的内部连通。

2.根据权利要求1所述的匀流装置，其特征在于，所述凹凸结构包括凹部和多个凸部，所述凹部设置在所述环形支撑件和所述环形盖板彼此相对的两个表面中的一者上；多个所述凸部设置在所述环形支撑件和所述环形盖板彼此相对的两个表面中的另一者上；

多个所述凸部位于所述凹部中，且沿所述环形支撑件的径向间隔设置，各相邻的两个所述凸部之间的间隔即为所述匀流腔；

每个所述凸部均具有第一表面，所述凹部具有多个第二表面，各个所述第二表面一一对应地与各个所述凸部的所述第一表面相对，且具有轴向间隙，所述轴向间隙即为所述进气通道。

3.根据权利要求2所述的匀流装置，其特征在于，各相邻的两个所述第二表面之间具有高度差，所述高度差大于或等于位于上游，且相邻的所述轴向间隙的宽度，且连接在各相邻的两个所述第二表面之间的第三表面与相邻的所述凸部之间具有径向间隙。

4.根据权利要求2或3所述的匀流装置，其特征在于，多个所述匀流腔的容积沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧递减；和/或，多个所述连接通道的通气横截面积沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧递减。

5.根据权利要求4所述的匀流装置，其特征在于，多个所述凸部设置在所述环形盖板的与所述环形支撑件相对的表面上，所述凹部设置在所述环形支撑件的与所述环形盖板相对的表面上；

所述凹部的多个所述第二表面和所述环形盖板之间的轴向间距沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧递减。

6.根据权利要求4所述的匀流装置，其特征在于，多个相邻的两个所述凸部之间的间隔在所述环形支撑件的径向上的宽度沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧递减。

7.根据权利要求4所述的匀流装置，其特征在于，多个所述第二表面与多个所述第一表面之间的轴向间隙的宽度沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧递减。

8.根据权利要求7所述的匀流装置，其特征在于，所述凸部为三个，分别为沿所述环形支撑件的径向由外侧向内侧依次设置的第一凸部、第二凸部和第三凸部，其中，

所述第一凸部的所述第一表面与对应的所述第二表面之间的轴向间隙大于等于0.01mm，且小于等于0.4mm；

所述第二凸部的所述第一表面与对应的所述第二表面之间的轴向间隙大于等于0.01mm，且小于等于0.3mm；

所述第三凸部的所述第一表面与对应的所述第二表面之间的轴向间隙大于等于0.01mm，且小于等于0.2mm。

9.根据权利要求2所述的匀流装置，其特征在于，所述凹部和多个所述凸部均为环形，且均沿所述环形支撑件的周向环绕设置。

10.根据权利要求1所述的匀流装置，其特征在于，在所述环形支撑件和所述环形盖板彼此相对的两个表面上，以及所述凹凸结构的与气体相接触的表面设置有抗腐蚀层。