[发明专利]一种扇出式封装方法及封装结构

说明书

本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供晶圆载盘和面板载片；将多组第一芯片的第一表面以第一阵列的形式固定在晶圆载盘的表面，在多组第一芯片的第二表面形成第一塑封层；将多组第一芯片与晶圆载盘分离，在多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层；将多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有高密度互连布线层的一侧固定在面板载片的表面；在多组第一芯片背离高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层；将多组第一芯片与面板载片分离，在高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。本发明的封装方法既可以很好的实现高密度互连的需求，而且成本低，产出率高。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种扇出式封装方法及封装结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，封装技术向高密度/高集成度发展。目前，扇出式技术成为高密度互连的一个重要开发方向。通过使用再布线层对单芯片及多芯片进行连接，大大提高了封装集成的灵活度。扇出式技术已经被应用于高性能计算(HPC)及手机处理器等领域。

目前扇出式技术有两种主要发展方向，一种是基于晶圆技术的扇出式晶圆级封装(FOWLP)，另一种是基于面板技术的扇出式面板级封装(FOPLP)。扇出式晶圆级封装的布线密度可以更高，目前已经实现线宽2微米的量产，但产出率低，成本高。扇出式面板级封装由于产出率高，成本低，但由于面板尺寸大，细线宽实现难度大，目前可量产线宽均在5um以上。

针对上述问题，有必要提出一种设计合理且可以有效解决上述问题的一种扇出式封装方法及封装结构。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出式封装方法及封装结构。

本发明的一个方面，提供一种扇出式封装方法，所述方法包括：

分别提供晶圆载盘和面板载片；

将多组第一芯片的第一表面以第一阵列的形式固定在所述晶圆载盘的表面，在所述多组第一芯片的第二表面形成第一塑封层；

将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，在所述多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层；

将所述多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有所述高密度互连布线层的一侧固定在所述面板载片的表面；

在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层；

将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，在所述高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。

在一些可选地实施方式中，所述在所述多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层，包括：

在所述第一塑封层和所述多组第一芯片的第一表面形成第一介电层，图形化所述第一介电层，形成多个第一开口；

在所述图形化后的第一介电层表面形成第一金属互连层，图形化所述第一金属互连层，形成所述高密度互连布线层。

在一些可选地实施方式中，所述在所述高密度互连布线层表面形成低密度互连布线层，包括：

在所述高密度互连布线层表面形成第二介电层，图形化所述第二介电层，形成多个第二开口；

在所述图形化后的第二介电层表面形成第二金属互连层，图形化所述第二金属互连层，形成所述低密度互连布线层。

在一些可选地实施方式中，所述第一介电层和所述第二介电层的介电材料不同。

在一些可选地实施方式中，在形成所述低密度互连布线层之后，所述方法还包括：

在所述图形化后的第二金属互连层表面形成第三介电层，图形化所述第三介电层，形成多个第三开口；