[发明专利]一种扇出式封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出式封装方法，其特征在于，所述方法包括：

分别提供晶圆载盘和面板载片；

将多组第一芯片的第一表面以第一阵列的形式固定在所述晶圆载盘的表面，在所述多组第一芯片的第二表面形成第一塑封层；

将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，在所述多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层；

将所述多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有所述高密度互连布线层的一侧固定在所述面板载片的表面；

在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层；

将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，在所述高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层，包括：

在所述第一塑封层和所述多组第一芯片的第一表面形成第一介电层，图形化所述第一介电层，形成多个第一开口；

在所述图形化后的第一介电层表面形成第一金属互连层，图形化所述第一金属互连层，形成所述高密度互连布线层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述高密度互连布线层表面形成低密度互连布线层，包括：

在所述高密度互连布线层表面形成第二介电层，图形化所述第二介电层，形成多个第二开口；

在所述图形化后的第二介电层表面形成第二金属互连层，图形化所述第二金属互连层，形成所述低密度互连布线层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层的介电材料不同。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述低密度互连布线层之后，所述方法还包括：

在所述图形化后的第二金属互连层表面形成第三介电层，图形化所述第三介电层，形成多个第三开口；

在所述多个第三开口处进行植球，形成多个焊球。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在形成多个焊球之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨。

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨。

8.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在形成多个焊球之后，所述方法还包括：

对所述多组第一芯片进行切割，形成单组芯片封装结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，在所述多组第一芯片的第一表面形成高密度互连布线层之后，所述方法还包括：

将第二芯片倒装在所述高密度互连布线层上；

在所述高密度互连布线层上形成中间互连布线层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，在所述高密度互连布线层上形成低密度互连布线层之后，所述方法还包括：

图形化所述高密度互连布线层和所述低密度互连布线层形成目标开口区域；

将所述第二芯片倒装在所述目标开口区域上。

11.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，每组第一芯片包括一个或多个第一芯片。

12.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述多组第一芯片的第一表面为所述多组第一芯片的正面和背面中的其中一者，所述多组第一芯片的第二表面为所述多组第一芯片的正面和背面中的另一者。

13.一种扇出式封装结构，其特征在于，采用权利要求1至12任一项所述的封装方法封装形成。