[发明专利]一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法

说明书

本发明公开了一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法，包括：提供第一载板，将芯片贴装在第一载板上，构建第一包封层；在第一包封层上表面进行多次包封‑减薄打孔‑RDL布线工艺处理，包封层和布线层交替结构；在最后一层布线层上表面贴装器件进行包封，形成第一封装体；将第一载板去除，在封装体上表面贴装第二载板，在第一封装体下表面进行RDL布线，形成第二封装体，去除第二载板，贴装器件进行封装，形成最终封装体。本发明采用载板代替了多层基板，降低了产品的生产成本和加工难度，并进行包封‑布线多层叠加封装，有效的缩短了散热路径，并且能够降低电容和电感的寄生参数，提高了导热效率，直接连接金属散热面，提升最终封装体的散热性能。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是涉及一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法。

背景技术

随着雷达和通信系统中信号传输距离的不断增加，大功率器件广泛应用到相关领域电路模块和系统中。同时，随着系统小型化、轻质化需求，需要将越来越多的功率放大芯片和元器件集成在一个有限尺寸封装中，大幅增加了单位面积芯片功率和热耗，严重制约了整体系统的电热性能。

目前已有的大部分功率放大器芯片热设计是通过TSV技术将功率放大器芯片与基板实现连接，具体散热路径设计如下：功率放大器芯片正面电路产生热量，通过TSV互连技术传导至芯片背面金属层，然后将热量从背面金属层传导至封装多层基板表面，最后传导至移动设备的电路板。如此通过较长的多层互连电路和通孔才能将热量传导至基板表面，对于多层基板设计，较长的热量传导通路会引起电感以及电阻过大，从而导热效率很差，散热性能也是很大的挑战。另一方面采用TSV技术需要昂贵的基板等材料，加工成本较高，加工难度大。

综上所述可以看出，如何提高散热性能是目前有待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法，解决了封装导热效率差，散热性能低的问题；同时也能降低射频通路中电容电感等的寄生参数。

为解决上述技术问题，本发明提供第一载板，将芯片背面贴装在所述第一载板上表面，并构建第一包封层，包括：提供第一载板，将芯片背面贴装在所述第一载板上表面，并构建第一包封层；在所述第一包封层上表面进行多次包封-减薄打孔-RDL布线工艺处理，形成包封层和布线层交替叠加的多层结构；在最上一层布线层上表面贴装器件，进行完全包封处理，形成第一封装体；将所述第一载板去除，将所述第一封装体上表面贴装到第二载板，在所述第一封装体下表面进行RDL布线，形成第二封装体；将所述第二载板去除，将所述第二封装体与其他器件进行堆叠封装，形成最终封装体。

优选地，所述将所述第一载板去除包括：利用激光的方式将所述第一载板去除。

优选地，所述包封-减薄打孔-RDL布线工艺处理包括；

在所述第一包封层上表面进行RDL布线，形成第一布线层；

利用塑封料对所述第一布线层进行包封，形成第二包封层；

利用激光对所述第二包封层进行打孔，贯穿所述第二包封层的上下表面，形成连接所述第一布线层的导电通孔；

在所述第二包封层上表面进行RDL布线，形成第二布线层，使所述第二布线层连接所述导电通孔。

优选地，所述第一布线层和所述第二布线层的厚度均大于3μm，所述第一布线层和所述第二布线层的材料均为电镀铜。

优选地，所述提供第一载板，在所述第一载板上构建第一包封层包括：

提供所述第一载板，将芯片背面贴装在所述第一载板的上表面，形成组件体；

利用塑封料对所述组件体进行包封，形成第一包封层；

对所述第一包封层进行减薄处理，直至暴露出所述组件体的金属凸起结构。