[发明专利]一种不可见光发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种不可见光发光二极管及制备方法，所述不可见光发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包含第一电流扩展层，第一In_X1Ga_1‑x1As层，第一覆盖层，有源层和第二覆盖层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs层和In_XGa_1‑xAs层作为吸收层，在电流密度大于1A/mm²情况下，可有效去除可见光部分，有效解决不可见光发光二极管的红爆现象。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及不可见光发光二极管及制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。红外发光二极管，由于其特定的波段，以及低功耗和高可靠性，被广泛应用于安全监控、穿戴式装置、空间通信、遥控、医疗器具、传感器用光源及夜间照明等领域。

目前不可见光发光二极管芯片普遍存在红爆现象：在点亮时使用人眼观察芯片发光状况，会看到部分深红色光从芯片发出，造成在应用上需要无红爆纯红外需求受到限制，所以市场上需开发出一种无可见光发射的不可见光发光二极管。

发明内容

为了解决上述的问题，本发明提出一种不可见光发光二极管，可以减少红爆现象。

本发明提出一种不可见光发光二极管，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层，第一覆盖层、有源层、第二覆盖层；其特征在于：包含第一In_x1Ga_1-x1As层，所述第一In_x1Ga_1-x1As层位于所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间，所述第一In_x1Ga_1-x1As层的x1的范围为0＜x1≤0.08。

在一些可选的实施例中，所述第一In_x1Ga_1-x1As层的厚度为100~1000nm，掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm³。

在一些可选的实施例中，所述第一电流扩展层为Al_y1Ga_1-y1As，所述y1的范围为0≤y1≤0.25。

在一些可选的实施例中，所述第一电流扩展层的厚度为5~9um；掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm³。

在一些可选的实施例中，所述不可见光发光二极管还包含第一In含量过渡层，位于所述第一电流扩展层和第一In_x1Ga_1-x1As层之间，所述第一In含量过渡层的In含量自第一电流扩展层至第一In_x1Ga_1-x1As层方向In含量为逐渐增加。

在一些可选的实施例中，所述第一In含量过渡层的In含量自第一电流扩展层至第一InxGa1-xAs层方向In含量为线性增加的或者分段性增加。

在一些可选的实施例中，还包含第二电流扩展层，所述第二电流扩展层位于第二覆盖层之上，所述第二电流扩展层为Al_y2Ga_1-y2As，所述y2的范围为0≤y2≤0.25。

在一些可选的实施例中，所述第二电流扩展层的厚度为0~3um；掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm³。