[发明专利]一种不可见光发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111464356.7 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114220894A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 冯彦斌;高文浩;梁倩;吴超瑜 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可见光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.不可见光发光二极管，包括：
半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层，第一覆盖层、有源层、第二覆盖层；
其特征在于：包含第一Inx1Ga1-x1As层，所述第一Inx1Ga1-x1As层位于所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间，所述第一Inx1Ga1-x1As层的x1的范围为0＜x1≤0.08。
2.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一Inx1Ga1-x1As层的厚度为100~1000nm，掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm3。
3.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层为Aly1Ga1-y1As，所述y1的范围为0≤y1≤0.25。
4.根据权利要求3所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一电流扩展层的厚度为5~9um；掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm3。
5.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：还包含第一In含量过渡层，位于所述第一电流扩展层和第一Inx1Ga1-x1As层之间，所述第一In含量过渡层的In含量自所述第一电流扩展层至第一Inx1Ga1-x1As层方向In含量为逐渐增加。
6.根据权利要求5所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第一In含量过渡层的In含量自所述第一电流扩展层至第一Inx1Ga1-x1As层方向In含量为线性增加的或者分段性增加。
7.根据权利要求1所述的不可见光发光二极管，其特征在于：还包含第二电流扩展层，位于所述第二覆盖层之上，所述第二电流扩展层为Aly2Ga1-y2As，所述y2的范围为0≤y2≤0.25。
8.根据权利要求7所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第二电流扩展层的厚度为0~3um；掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm3。
9.根据权利要求7所述的不可见光发光二极管，其特征在于：还包含第二Inx2Ga1-x2As层，所述第二Inx2Ga1-x2As层位于第二覆盖层和第二电流扩展层之间，所述第二Inx2Ga1-x2As层的In含量为0＜x2≤0.08。
10.根据权利要求9所述的不可见光发光二极管，其特征在于：所述第二Inx2Ga1-x2As层的厚度为100~1000nm，掺杂浓度为1E+17~4E+18/cm3。
11.根据权利要求9所述的不可见光发光二极管，其特征在于：还包含第二In含量过渡层，位于所述第二覆盖层和第二Inx2Ga1-x2As层之间，所述第二In含量过渡层的In含量自所述第二覆盖层至第二Inx2Ga1-x2As层方向In含量为逐渐增加。
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