[发明专利]平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统在审
申请号: | 202111445874.4 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114156294A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 姜振武;侯学成;张冠;杨祎凡;尚建兴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N23/044 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 探测器 及其 制作 驱动 方法 探测 装置 成像 系统 | ||
本申请提供一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统,平板探测器包括基底、设置在基底一侧的背板层、以及设置在背板层远离基底一侧的感光器件,背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构;其中,复位结构与感光器件电连接,用于在平板探测器处于暗态时,对感光器件进行复位。通过在平板探测器中设置复位结构,当平板探测器处于暗态时,复位结构可以清除感光器件由于上一次曝光而残留的电荷。在下一次曝光时,薄膜晶体管只会导出感光器件中因为该次曝光而产生的电荷,因此所得到的显示图像是该次曝光时的图像,不会出现上一次曝光时所产生的图像的残影,由此保证了平板探测器的成像质量。
技术领域
本申请涉及光电检测技术领域,具体而言,本申请涉及一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统。
背景技术
X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域,具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像,分辨率不高,图像质量较差。X射线数字化成像技术采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像,因其转换的数字图像清晰,分辨率高,且易于保存和传送,已得到了广泛的开发与应用。
X射线平板探测器通常包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)与光电二极管。在X射线照射下,间接转换型X射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光,然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号,最终通过TFT读取电信号并将电信号输出,该电信号经过经过A/D转换后形成数字信号,计算机再将数字信号进行图像处理从而形成X射线数字影像。然而,现有的X射线平板探测器存在曝光后的图像中出现上一帧图像残影的问题,对成像质量造成了影响。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统,用以解决现有的X射线平板探测器中存在的在曝光后的图像中出现上一帧图像残影的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种平板探测器,包括:
基底;
背板层,设置在所述基底的一侧,包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构,所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层,所述第一源漏极层与所述数据线电连接;
感光器件,设置在所述背板层远离所述基底的一侧,与所述第一源漏极层连接;
其中,所述复位结构与所述感光器件电连接,用于在所述平板探测器处于暗态时,对所述感光器件进行复位。
可选的,所述复位结构包括复位信号线和第二薄膜晶体管;
所述复位信号线沿第一方向延伸,所述第二薄膜晶体管包括第二源漏极层,所述第二源漏极层分别与所述复位信号线和所述感光器件电连接,当所述平板探测器处于暗态时,所述第二薄膜晶体管开启,以使所述复位信号线与所述感光器件连接。
可选的,所述平板探测器包括沿第二方向延伸的栅极线,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一有源层,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二有源层;
所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接,所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂类型相反;所述第二方向与所述第一方向交叉。
可选的,所述感光器件包括沿所述基底指向所述第一薄膜晶体管方向依次层叠设置的第一电极层、吸收层和第二电极层,所述第二源漏极层、所述第一电极层以及所述复位信号线同层设置。
可选的,所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置;
所述数据线与所述第一源漏极层同层设置。
可选的,所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影无交叠;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111445874.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锥形薄壁构件剧烈塑性成形方法
- 下一篇:一种尼泊金酯的加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的