[发明专利]平板探测器及其制作、驱动方法、探测装置、成像系统

权利要求书

1.一种平板探测器，其特征在于，包括：

基底；

背板层，设置在所述基底的一侧，包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线和复位结构，所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层，所述第一源漏极层与所述数据线电连接；

感光器件，设置在所述背板层远离所述基底的一侧，与所述第一源漏极层连接；

其中，所述复位结构与所述感光器件电连接，用于在所述平板探测器处于暗态时，对所述感光器件进行复位。

2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述复位结构包括复位信号线和第二薄膜晶体管；

所述复位信号线沿第一方向延伸，所述第二薄膜晶体管包括第二源漏极层，所述第二源漏极层分别与所述复位信号线和所述感光器件电连接，当所述平板探测器处于暗态时，所述第二薄膜晶体管开启，以使所述复位信号线与所述感光器件连接。

3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器包括沿第二方向延伸的栅极线，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极层和第二有源层；

所述栅极线分别与所述第一栅极层和所述第二栅极层电连接，所述第一有源层和所述第二有源层的掺杂类型相反；所述第二方向与所述第一方向交叉。

4.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述感光器件包括沿所述基底指向所述第一薄膜晶体管方向依次层叠设置的第一电极层、吸收层和第二电极层，所述第二源漏极层、所述第一电极层以及所述复位信号线同层设置。

5.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述栅极线、所述第一栅极层以及所述第二栅极层同层设置；

所述数据线与所述第一源漏极层同层设置。

6.根据权利要求3所述的平板探测器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管在所述基底上的正投影和所述第二薄膜晶体管在所述基底上的正投影无交叠；

所述平板探测器还包括钝化层，所述钝化层设置在第一薄膜晶体管远离基底的一侧，所述第二薄膜晶体管设置在所述钝化层远离基底的一侧。

7.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第一有源层在所述基底上的正投影无交叠，所述吸收层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影无交叠。

8.一种探测装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的平板探测器。

9.一种成像系统，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的平板探测器，或包括权利要求8所述的探测装置。

10.一种平板探测器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底的一侧制作背板层，所述背板层包括第一薄膜晶体管、沿第一方向延伸的数据线、以及复位结构，所述第一薄膜晶体管包括第一源漏极层，所述第一源漏极层与数据线电连接；

在所述背板层远离所述基底的一侧制作感光器件，并使所述感光器件与所述复位结构电连接，其中，所述复位结构用于在平板探测器处于暗态时，对所述感光器件进行复位。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基底的一侧制作背板层，包括：

在所述基底的一侧制作第一薄膜晶体管和数据线；

在所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧制作第二薄膜晶体管和复位信号线，并使所述第二薄膜晶体管和所述复位信号线电连接，所述第二薄膜晶体管和所述复位信号线构成复位结构。