[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111439561.8 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114188217A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吴恙;杨帆;胡胜;古立亮;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供基底并在所述基底上依次形成第一掩膜层、第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖在所述第一掩膜层上；
以所述第二掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第一掩膜层，所述第一掩膜层具有图案化的第一开口；
去除所述第二掩膜层，以图案化的所述第一掩膜层作为掩膜湿法刻蚀所述基底，以在所述基底上形成多个沟槽，所述沟槽从所述基底表面开口延伸至所述基底内部，所述多个沟槽在垂直于所述基底的截面上的截面宽度从所述基底表面到所述基底内部逐渐减小。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在垂直于所述基底表面的截面上，每个所述沟槽在所述基底表面开口处具有相对于所述沟槽悬空的凸部。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在“通过湿法刻蚀工艺在所述基底上形成多个沟槽”的步骤之后，还包括步骤：
去除所述第一掩膜层；及
通过无掩膜刻蚀工艺去除所述凸部。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在“通过无掩膜刻蚀工艺去除所述凸部”的步骤之后，还包括步骤：
在所述沟槽中填充绝缘材料。
5.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述凸部后，所述沟槽在所述基底的表面具有第二开口，在垂直于所述基底的截面上，所述第二开口的截面宽度大于所述第一开口的截面宽度，且所述第二开口与所述第一开口截面宽度差值小于100nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层为硬掩膜层，所述第二掩膜层为光刻胶掩膜层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度范围为小于
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽从所述基底表面开口延伸至所述基底内部，呈倒四棱锥状。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，每个所述沟槽的侧面倾斜角为54.7°。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度与所述沟槽的最大截面宽度的比值等于0.5*tan(54.7)。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1至10任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
