[发明专利]腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备

说明书

本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪，打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀，使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通，启动目标气体分析仪，使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下，输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中，多个工艺腔室可以共享气体分析仪，因此可以在半导体工艺设备中设置较少的气体分析仪，降低半导体工艺设备的成本。

技术领域

本发明涉及半导体装备技术领域，特别是涉及一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备。

背景技术

在晶圆(wafer)加工过程中，一些工艺的实施需要在真空条件下进行，需要保持工艺腔室处于真空状态。例如在退火工艺中，需要保持退火腔室处于真空状态，在晶圆放入退火腔室后，可以进行退火工艺，以去除绝缘层中的水汽和有机物等杂质。

半导体工艺设备中通常包括多个工艺腔室，在晶圆加工过程中，多个工艺腔室同时动作，可以提高加工效率。腔室进行工作时，内部接近真空，外部被大气包围，腔室上分布有气体管路、阀门、真空规、升降驱动装置等部件，这些部件连通腔室内外，长期使用可能出现老化、松动等情况，导致腔室密封性下降并发生微漏甚至大漏，如果腔室发生泄漏，会导致腔室执行的的工艺不能达到预期效果。目前，需要为每个工艺腔室分别配置一个气体分析仪，在晶圆加工过程中，通过气体分析仪分析进入工艺腔室内的气体成分，确定工艺腔室是否发生泄漏。由于气体分析仪的造价较高，为每个工艺腔室配置气体分析仪时，导致半导体工艺设备的成本较高。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是为每个工艺腔室配置气体分析仪时，导致半导体工艺设备成本较高的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种腔室泄漏检测方法，该方法应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备中包括多个工艺腔室和至少一个气体分析仪，所述工艺腔室分别通过隔离阀与所述气体分析仪连接；所述方法包括：

从所述多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，以及从所述至少一个气体分析仪中确定处于闲置状态的目标气体分析仪；

打开所述目标气体分析仪与所述目标工艺腔室之间的隔离阀，并关闭所述目标气体分析仪与其它所述工艺腔室之间的隔离阀，使所述目标气体分析仪只与所述目标工艺腔室连通；

启动所述目标气体分析仪，使所述目标气体分析仪在根据所述目标工艺腔室内的气体成分确定所述目标工艺腔室泄漏的情况下，输出指示所述目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。

可选地，所述从所述多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室，包括：

在所述半导体工艺设备处于工作状态的情况下，将所述多个工艺腔室中发生目标事件的工艺腔室作为所述目标工艺腔室；所述目标事件标志所述工艺腔室被启动执行预设工艺；

在所述半导体工艺设备处于待机状态的情况下，顺序从所述多个工艺腔室中选择未与所述气体分析仪连通的工艺腔室作为所述目标工艺腔室。

可选地，在所述启动所述目标气体分析仪之后，还包括：

获取所述目标气体分析仪的工作时长，在所述工作时长达到预设时长的情况下，关闭所述目标气体分析仪与所述目标工艺腔室之间的隔离阀，以使所述目标气体分析仪处于闲置状态；所述预设时长不低于所述目标气体分析仪获取检测结果所需的时长、且不高于相邻的两个所述工艺腔室的目标事件之间的间隔时长。

可选地，所述顺序从所述多个工艺腔室中选择未与所述气体分析仪连通的工艺腔室作为所述目标工艺腔室，包括：