[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备

说明书

本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备。上述半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括多个浅沟槽隔离和多个位于相邻的两个浅沟槽隔离之间的鳍片；在半导体结构上形成图形化的硬掩膜，使得表面上无需形成栅极的预定鳍片裸露；对具有硬掩膜的半导体结构进行预定处理，使得预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。该方法可以有效减轻由于预定鳍片与栅极的距离很近导致容易发生漏电的问题，并且，该方法中增加的绝缘部分可以缓解“栅极充电时，由于预定鳍片中的电荷会和栅极的电荷产生感应，使得预定鳍片和栅极之间的耦合太大”的问题，使得半导体器件的性能较好。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备。

背景技术

随着半导体器件尺寸不断变小，半导体器件内部的空间也越来越小，所以半导体器件内部需要更好的隔离。现有技术中，为了保持半导体器件的均匀性，从而使得半导体器件的性能更好，如图1所示，两个栅极10之间有多余的预定鳍片20，预定鳍片20与栅极10的距离很近，容易发生漏电，并且在对栅极10充电时，预定鳍片20中的电荷会和栅极的电荷产生感应，使得预定鳍片20和栅极10之间的耦合太大从而影响半导体器件的性能。

为了解决上述问题，现有技术中有两种做法，第一种做法是在鳍片刻蚀前，如图2所示，将预定鳍片的硬掩膜30刻蚀掉，形成如图3所示的结构，但是这样会影响鳍片的均匀性和尺寸，还会对浅沟槽隔离注入的深度产生影响。第二种做法是在鳍片刻蚀后，将图4中的预定鳍片刻蚀掉，形成如图5所示的结构，因为刻蚀难度大，容易导致预定鳍片有残留。

因此，亟需一种在不影响半导体器件性能的情况下，有效减少多余鳍片的干扰的方案。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备，以解决现有技术中预定鳍片与栅极的距离很近而产生漏电现象的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括多个鳍片和多个浅沟槽隔离，任意一个所述鳍片位于相邻的两个所述浅沟槽隔离之间；在所述半导体结构上形成图形化的硬掩膜，使得预定鳍片裸露，所述预定鳍片为表面上无需形成栅极的所述鳍片；对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。

可选地，对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：向所述预定鳍片中注入第一预定离子，使得所述预定鳍片转化为非晶态鳍片；对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。

可选地，对所述预定鳍片注入第一预定离子，使得所述预定鳍片成为非晶态鳍片之后，在对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分之前，具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：对所述非晶态鳍片掺杂第二预定离子。

可选地，所述第二预定离子包括以下至少之一：硼离子、磷离子。

可选地，对所述预定鳍片注入第一预定离子，使得所述预定鳍片成为非晶态鳍片之后，在对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分之前，具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：刻蚀所述硬掩膜，使得多个所述鳍片裸露。

可选地，所述第一预定离子包括以下至少之一：锗离子、硅离子。