[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括多个鳍片和多个浅沟槽隔离，任意一个所述鳍片位于相邻的两个所述浅沟槽隔离之间；

在所述半导体结构上形成图形化的硬掩膜，使得预定鳍片裸露，所述预定鳍片为表面上无需形成栅极的所述鳍片；

对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：

向所述预定鳍片中注入第一预定离子，使得所述预定鳍片转化为非晶态鳍片；

对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述预定鳍片注入第一预定离子，使得所述预定鳍片成为非晶态鳍片之后，在对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分之前，具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：

对所述非晶态鳍片掺杂第二预定离子。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二预定离子包括以下至少之一：硼离子、磷离子。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述预定鳍片注入第一预定离子，使得所述预定鳍片成为非晶态鳍片之后，在对具有所述非晶态鳍片的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分之前，具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，包括：

刻蚀所述硬掩膜，使得多个所述鳍片裸露。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预定离子包括以下至少之一：锗离子、硅离子。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行预定处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分，为以下之一：

对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行氧化处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成氧化物；

对具有所述硬掩膜的所述半导体结构进行氮化处理，使得所述预定鳍片的至少表面部分形成氮化物。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述鳍片包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述第一方向与多个所述浅沟槽隔离的排列方向垂直，所述方法还包括：

在所述预定鳍片以外的其他所述鳍片的预定部分的表面上且跨越所述鳍片，形成栅极，所述预定部分为所述鳍片的位于所述源区和所述漏区之间的部分。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，包括多个鳍片和多个浅沟槽隔离，任意一个所述鳍片位于相邻的两个所述浅沟槽隔离之间，多个所述鳍片至少包括一个预定鳍片，所述预定鳍片为表面上无需形成栅极的所述鳍片，且所述预定鳍片的至少表面部分具有绝缘部分，所述鳍片包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述第一方向与多个所述浅沟槽隔离的排列方向垂直；

栅极，位于除所述预定鳍片以外的其他所述鳍片的预定部分的表面上且跨越所述鳍片，所述预定部分为所述鳍片的位于所述源区和所述漏区之间的部分；

源/漏接触电极，分别形成在所述源区的表面上和所述漏区的表面上。

10.一种存储器，其特征在于，包括半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为权利要求9所述的半导体器件。

11.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求10所述的存储器。