[发明专利]一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置

权利要求书

1.一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，包括：

采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；

在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；

对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；

将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。

2.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据，包括：

采集待测CVT在额定电压范围以内工作的一次电压波形、二次绕组电压波形以及末屏电流波形。

3.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，包括：

将控制开关分为两组分别设置在电容分压器之间，用于分别模拟电容分压器击穿缺陷，其中，每组设有至少一个控制开关，且两组中的控制开关数量不相等。

4.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态，包括：

在待模拟击穿电容的电极处设置弹性导体，并在所述弹性导体之间设置绝缘体。

5.根据权利要求4所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，包括：

在待测CVT的高压端施加运行电压；

通过绝缘件将弹性导体之间的绝缘体逐步拉出，使得所述弹性导体相互接触，以使所述待模拟击穿电容依次发生击穿。

6.根据权利要求5所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述弹性导体包括金属弹簧片，所述绝缘体包括绝缘片，所述绝缘件包括绝缘绳。

7.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，还包括：利用示波器采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据以及待模拟击穿电容击穿时待测CVT的故障运行数据。

8.一种CVT电容单元击穿缺陷试验装置，其特征在于，包括：

待测CVT、控制开关及示波器；

所述待测CVT的电容分压器之间设置多个控制开关；

所述示波器用于采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据以及待模拟击穿电容击穿时待测CVT的故障运行数据。

9.根据权利要求8所述的CVT电容单元击穿缺陷试验装置，其特征在于，所述待模拟击穿电容的电极处设有弹性导体，所述弹性导体之间设有绝缘体，

所述绝缘体用于使所述待模拟击穿电容的电极在试验前处于断路状态；

所述弹性导体用于使所述待模拟击穿电容从所述断路状态变为导通状态。

10.根据权利要求8所述的CVT电容单元击穿缺陷试验装置，其特征在于，所述正常运行数据包括：待测CVT在额定电压下的一次电压波形、二次绕组电压波形以及末屏电流波形。