[发明专利]一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法在审
| 申请号： | 202111409327.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114134564A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 纪生晓;周良杰;杨霄;王临喜;陈涛;张能健;陈秀华;杨张泉 | 申请（专利权）人： | 福建鑫德晶新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/20;C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 福州旭辰知识产权代理事务所(普通合伙) 35233 | 代理人： | 卢丽花 |
| 地址： | 350200 福建省福州市长乐市文武*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mpcvd 生长 金刚石 调温 方法 | ||
1.一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、选取厚度低于籽晶厚度的金刚石，通过激光进行切割成多条长宽一致的金刚石隔条，然后放入MPCVD设备内刻蚀金刚石隔条的切割面；
步骤S2、将金刚石隔条和金刚石籽晶进行预处理，然后在钼样品托上摆放好预处理好的金刚石隔条和金刚石籽晶，将金刚石隔条和金刚石籽晶相互拼接；
步骤S3、将摆放好的钼样品托放入MPCVD设备的腔体内，进行金刚石同质外延生长，生长过程中金刚石隔条和金刚石籽晶的热量会进行相互传递，从而解决了在金刚石沉积过程中籽晶之间温度不均的问题。
2.根据权利要求1所述的一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于：所述步骤S1中的金刚石隔条的长度范围为5mm-8mm之间，宽度范围为0.4mm-1mm之间，所述MPCVD设备内刻蚀参数为：氢气气氛下刻蚀20～60分钟。
3.根据权利要求1所述的一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于：所述步骤S2中预处理方式具体为：浓硫酸酸洗2次，每次20min，丙酮和去离子水依次超声2～10min。
4.根据权利要求1所述的一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于：所述步骤S3中金刚石同质外延生长的沉积参数为：MPCVD设备的功率4000～5500W，腔体压力18～25kPa，氢气流量300～500sccm，甲烷流量占氢气的4～8％，生长温度750～950℃。
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