[发明专利]一种功率型芯片封装方法

说明书

本申请属于半导体封装技术领域，具体公开一种功率型芯片封装方法，包括：配置封装底板；配置保护壳；封装底板与保护壳热接成型；配置封装底板包括：在基板上确定几何中心，几何中心作两条垂直的轴线将基板分为四个区域，一个区域为低产热元件区，与低产热元件区相临近的两个区域分别是高产热高耐热元件区与高产热低耐热元件区；配置保护壳包括：在保护壳体中部形成厚度相对薄的集中外导区，直导区从高产高耐区起延伸到集中外导区；在高产低耐区周围形成一个圆环状且厚度相对薄的环导区；封装底板与保护壳热接成型前，将功率型芯片固定在基板上，将封装底板与保护壳热接成型。保留封壳这种结构以确保功率型芯片封装的安全性，有优良的散热效果。

技术领域

本申请涉及半导体封装，尤其是涉及到一种功率型芯片封装方法。

背景技术

功率型芯片的封装方法和相关封装结构在现有技术中比较固化的，比如，相关的专利文献中就有代表性的技术内容，中国发明专利CN200910032590.5就公开了用于大功率芯片的封装方法，该技术的核心是在金属基板上打一尺寸略小于铜底座的孔，将铜底座嵌入金属基板，在铜底座和金属基板上印刷焊膏，将芯片和引线脚分别装到铜底座和金属基板上，将芯片、引线脚、铜底座和金属基板一起放到烧结炉烧结，温度210℃～230℃，芯片与引线脚之间通过金属丝键合，在显微镜下检查有无脱丝或漏键合，在芯片表面涂覆上胶，封壳，将金属基板用壳子盖上，把引线脚切筋并打弯，测试开短路情况，灌封并烘干。

在该技术中芯片是在基板上外露设置的，实际上这更有利于散热，但是这种技术框架的封装方法或结构也具有很多缺点，比如，这种封装也需要封壳，实际上封壳是安全保护罩，这样可以解决一些安全保护的问题，但是这种封壳有可能使得散热的效果大大折扣，因为封壳是封闭的，所以不利于散热；所以现在技术中缺少一种既可以保留封壳这种结构以确保安全性，还可以有明显散热效果的封装技术。

发明内容

为了克服现有的技术存在的不足，本申请提供一种功率型芯片封装方法。

本申请解决其技术问题所采用的技术方案是：一种功率型芯片封装方法，包括：配置封装底板；配置保护壳；封装底板与保护壳热接成型；

其中的配置封装底板包括：在基板上确定几何中心，通过几何中心作两条垂直的轴线将基板分为四个区域，一个区域为低产热元件区，与低产热元件区相临近的两个区域分别是高产热高耐热元件区与高产热低耐热元件区；在高产热高耐热元件区、低产热元件区、高产热低耐热元件区上均配置相应的元件固定孔；其中的高产热高耐热元件区具体是放置高产热高耐热元件或高产热高耐热芯片的区域，其中的低产热元件区具体是放置低产热元件或低产热芯片的区域，其中的高产热低耐热元件区具体是放置高产热低耐热元件或高产热低耐热芯片的区域；

配置保护壳包括：以基板加工成保护壳体，在保护壳体中部形成厚度相对薄的集中外导区，在集中外导区两侧分别形成高产高耐区与高产低耐区，在高产高耐区与高产低耐区中部且非集中外导区的位置形成低产区，所述高产高耐区两侧分别形成一个长条状且厚度相对薄的直导区，直导区从高产高耐区起延伸到集中外导区；在高产低耐区周围形成一个圆环状且厚度相对薄的环导区；

封装底板与保护壳热接成型前，将功率型芯片固定在基板上，并且将功率型芯片的高耐热一端置于高产热高耐热元件区，将功率型芯片的低耐热一端置于高产热低耐热元件区；将保护壳体先扣在基板上且使得高产高耐区正下方最接近高产热高耐热元件区，低产区正下方最接近低产热元件区，高产低耐区正下方最接近高产热低耐热元件区，集中外导区正下方最接近几何中心；然后将封装底板与保护壳热接成型。

进一步，环导区与集中外导区、直导区均可在保护壳体上一体冲压成型。

进一步，所述基板与保护壳体的俯视截面形状均为正方形。

进一步，所述“封装底板与保护壳热接成型前，将功率型芯片固定在基板上”还包括将其他的元件固定在基板上。

进一步，所述的配置封装底板中还包括在基板环周形成引线孔及引线。