[发明专利]沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件

权利要求书

1.一种沟槽侧壁的表面掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；

基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域；

其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿所述沟槽深度方向保持不变。

2.根据权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，在所述沟槽的底部指向开口方向上，所述沟槽包括依次排布的N个分段区域，该N个分段区域在所述方向上依次为第1分段区域至第N分段区域，N为正整数；

基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，包括：

在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，i为不大于N的正整数；

基于所述掺杂层，在第i分段区域的侧壁内形成扩散掺杂区域；

形成所述扩散掺杂区域后，去除所述掺杂层。

3.根据权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，当N＞1，i＝N时，在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，包括：

在第1分段区域至第N-1分段区域内形成第一填充结构；

在第N分段区域的侧壁上形成所述掺杂层；

其中，在形成所述扩散掺杂区域后，依次去除所述掺杂层以及所述第一填充结构。

4.根据权利要求3所述的掺杂方法，其特征在于，在第1分段区域至第N-1分段区域内形成第一填充结构，包括：

在所述沟槽的侧壁和底部形成第二氧化层；

在形成有所述第二氧化层的沟槽内填充介质材料；

去除第N分段区域中的所述第二氧化层以及所述介质材料，露出所述第N分段区域的沟槽侧壁。

5.根据权利要求4所述的掺杂方法，其特征在于，去除第N分段区域中所述第二氧化层以及所述介质材料，包括：

刻蚀去除第N分段区域中的所述介质材料后，再刻蚀去除第N分段区域侧壁上的所述第二氧化层。

6.根据权利要求5所述的掺杂方法，其特征在于，所述介质材料为多晶硅；

刻蚀去除第N分段区域中的所述介质材料包括：

基于对所述多晶硅的回刻蚀深度，控制第N分段区域在所述方向上的深度，以控制所述扩散掺杂区域在所述方向上的深度。

7.根据权利要求6所述的掺杂方法，其特征在于，刻蚀去除第N分段区域侧壁上的所述第二氧化层包括：

通过湿法刻蚀去除所述第二氧化层。

8.根据权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，当N＞1，i＝1时，在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，包括：

在所述沟槽的侧壁以及底部形成所述掺杂层；

在形成所述掺杂层的第1分段区域内形成第二填充结构；

去除第2分段区域至第N分段区域侧壁上的所述掺杂层；

其中，在形成所述扩散掺杂区域后，依次去除所述第二填充结构以及所述掺杂层。

9.根据权利要求8所述的掺杂方法，其特征在于，在形成所述掺杂层的第1分段区域内形成第二填充结构，包括：

在第1分段区域内填充多晶硅，基于填充所述多晶硅的深度，控制第1分段区域的深度，以控制所述扩散掺杂区域在所述方向上的深度。

10.根据权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，当N大于2，i大于1，且小于N时，在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，包括：

在第1分段区域至第i-1分段区域内形成第三填充结构；

在第i分段区域的侧壁上形成所述掺杂层；

在形成有所述掺杂层的第i分段区域中形成第四填充结构；

其中，在形成所述扩散掺杂区域后，依次去除所述第四填充结构、所述掺杂层以及所述第三填充结构。