[发明专利]系列碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途在审

专利信息
申请号: 202111349923.4 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN116121872A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 俞洪伟;崔少鑫;吴红萍;胡章贵 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;G02F1/355;C01B19/00;C01G17/00;C30B11/00
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 代理人: 许佳
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 系列 碱土金属 盐化 及其 非线性 光学 晶体 制备 方法 用途
【说明书】:

发明涉及碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物和碱土金属硫代(硒代)锗酸盐非线性光学晶体及其制备方法及其用途,该系列化合物和晶体化学式通式均为AEsubgt;3/subgt;GeOQsubgt;4/subgt;,其中AE=Ca,Sr,Ba;Q=S、Se,均属正交晶系,空间群Pca21,晶胞参数为α=β=γ=90°。化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐采用真空高温固相反应法合成,碱土金属硫代(硒代)锗酸盐晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于二次谐波发生器,上、下频率转换器,光参量振荡器等。

技术领域

本发明涉及一种新型系列碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物及其非线性光学晶体,化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐及其晶体的分子通式均为AE3GeOQ4,其中AE=Ca,Sr,Ba;Q=S、Se,其非线性光学晶体及化合物的制备方法,属于光学技术和晶体材料科技领域。

背景技术

近些年中远红外倍频效应大、透过波段宽、光损伤阈值大、物化性能稳定的新型非线性光学晶体材料的研究逐渐变为热点话题。目前主要非线性光学材料有:β-BaB2O4(BBO)晶体、LiB3O5(LBO)晶体、CsB3O5(CBO)晶体、CsLiB6O10(CLBO)晶体、KBe2BO3F2(KBBF)晶体、AgGaS2(AGS)晶体、AgGaSe2(AGSe)晶体和ZnGeP2(ZGP)晶体。虽然这些材料的晶体生长技术已日趋成熟,但仍存在着明显的不足之处:如晶体易潮解、生长周期长、层状生长习性严重、价格昂贵、激光损伤阈值小以及双光子吸收等。因此,寻找新的非线性光学晶体材料仍然是一个非常重要而艰巨的工作。

锗酸盐晶体是重要的半导体材料、中红外材料,其性能受到广泛的关注,在照明、显示、军事安全保卫及激光医疗等领域有较为广泛的应用。由于其较好的综合性能,利于获得较强的非线性光学效应,是新型中远红外非线性光学晶体的理想选择。

发明内容

本发明的目的之一是提供系列化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐。

本发明的目的之二是提供系列化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐的制备方法。

本发明的目的之三是提供系列碱土金属硫代(硒代)锗酸盐红外非线性光学晶体。

本发明的目的之四是提供系列碱土金属硫代(硒代)锗酸盐红外非线性光学晶体的制备方法。

本发明的目的之五是提供系列碱土金属硫代(硒代)锗酸盐红外非线性光学晶体的应用。

本发明的目的之一是这样实现的:

本发明目的在于提供一种新型碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物,其特征在于该化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐的分子通式为AE3GeOQ4,其中AE=Ca,Ba,Sr;Q=S、Se,不具有对称中心,正交晶系,空间群Pca21,晶胞参数为α=β=γ=90°,Z=4,单胞体积

本发明的目的之二是这样实现的:

本发明提供的系列化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐,其采用真空高温固相反应法按下列化学反应式制备碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物:

1)3SrS+0.5GeO2+0.5Ge+1S→Sr3GeOS4

2)3SrS+0.5GeO2+0.5GeS2→Sr3GeOS4

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