[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

本申请公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以在避免窜扰的同时，提高光取出效率以及分辨率。本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：多个阵列排布的发光器件，位于发光器件出光侧的光子晶体层，以及位于光子晶体层背离发光器件一侧的多个光致发光层；光子晶体层包括：与发光器件一一对应的微腔组；微腔组包括多个点缺陷微腔；发光器件在光子晶体层的正投影覆盖微腔组。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

微尺寸无机发光二极管显示是近年来发展迅速的一种新型显示技术，微尺寸无机发光二极管芯片尺寸小、发光波长可控、发光效率高、使用寿命长、发光材料对环境无污染等众多优点使得发光二极管在显示器方面的应用得以发展。但是，目前微尺寸无机发光二极管显示由于器件焊盘、器件尺寸以及固晶技术精度的限制，很难做到高像素密度(PPI)。并且为了避免子像素之间发生窜扰，微尺寸无机发光二极管芯片中相邻发光区之间间距较大，芯片面积利用率低，影响显示产品的分辨率。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以在避免窜扰的同时，提高光取出效率以及分辨率。

本申请实施例提供的一种显示基板，显示基板包括：多个阵列排布的发光器件，位于发光器件出光侧的光子晶体层，以及位于光子晶体层背离发光器件一侧的多个光致发光层；

光子晶体层包括：与发光器件一一对应的微腔组；微腔组包括多个点缺陷微腔；发光器件在光子晶体层的正投影覆盖微腔组。

在一些实施例中，每一微腔组包括：一个第一点缺陷微腔，以及包围第一点缺陷微腔的多个第二点缺陷微腔；

第一点缺陷微腔与发光器件的中心重合；

多个第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离均相等。

在一些实施例中，每一微腔组包括：4个第二点缺陷微腔；

4个第二点缺陷微腔依次连接形成矩形，且4个第二点缺陷微腔分别位于矩形的顶点，矩形的中心与第一点缺陷微腔重合。

在一些实施例中，光子晶体层还包括：第一半导体层，以及多个阵列排布且贯穿第一半导体层厚度的第一孔洞；

点缺陷微腔为贯穿第一半导体层厚度的第二孔洞；

在平行于光子晶体层所在平面的方向上，第一孔洞的最大宽度大于第二孔洞的最大宽度。

在一些实施例中，在平行于光子晶体层所在平面的方向上，第二孔洞的最大宽度与第一孔洞的最大宽度之比大于等于0.4且小于等于0.6。

在一些实施例中，在第一方向上，第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离h1与第一孔洞的周期n满足如下条件：h1＝2n；

在第二方向上，第二点缺陷微腔与第一点缺陷微腔之间的距离h2与第一孔洞的周期n满足如下条件：h2＝n；

第一方向与矩形的一对边平行，第二方向与矩形的另一对边平行。

在一些实施例中，显示基板还包括位于光子晶体层和光致发光层之间的衬底；

衬底与光子晶体层晶格匹配。

在一些实施例中，显示基板还包括：位于衬底背离光子晶体层一侧的遮光层；

遮光层具有与发光器件一一对应的第一开口区；光致发光层位于第一开口区。

在一些实施例中，发光器件包括：在光子晶体层背离衬底一侧依次叠层设置的N型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层、P型掺杂半导体层；

光子晶体层、N型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层以及P型掺杂半导体层包括同种半导体材料。