[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111346278.0 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114068607A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 张晶晶;张粲;李伟;王灿;牛晋飞;丛宁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/58 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:多个阵列排布的发光器件,位于所述发光器件出光侧的光子晶体层,以及位于所述光子晶体层背离所述发光器件一侧的多个光致发光层;
所述光子晶体层包括:与所述发光器件一一对应的微腔组;所述微腔组包括多个点缺陷微腔;所述发光器件在所述光子晶体层的正投影覆盖所述微腔组。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每一所述微腔组包括:一个第一点缺陷微腔,以及包围所述第一点缺陷微腔的多个第二点缺陷微腔;
所述第一点缺陷微腔与所述发光器件的中心重合;
多个所述第二点缺陷微腔与所述第一点缺陷微腔之间的距离均相等。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,每一所述微腔组包括:4个所述第二点缺陷微腔;
4个所述第二点缺陷微腔依次连接形成矩形,且4个所述第二点缺陷微腔分别位于所述矩形的顶点,所述矩形的中心与所述第一点缺陷微腔重合。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述光子晶体层还包括:第一半导体层,以及多个阵列排布且贯穿所述第一半导体层厚度的第一孔洞;
所述点缺陷微腔为贯穿所述第一半导体层厚度的第二孔洞;
在平行于所述光子晶体层所在平面的方向上,所述第一孔洞的最大宽度大于所述第二孔洞的最大宽度。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在平行于所述光子晶体层所在平面的方向上,所述第二孔洞的最大宽度与所述第一孔洞的最大宽度之比大于等于0.4且小于等于0.6。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,在第一方向上,所述第二点缺陷微腔与所述第一点缺陷微腔之间的距离h1与所述第一孔洞的周期n满足如下条件:h1=2n;
在第二方向上,所述第二点缺陷微腔与所述第一点缺陷微腔之间的距离h2与所述第一孔洞的周期n满足如下条件:h2=n;
所述第一方向与所述矩形的一对边平行,所述第二方向与所述矩形的另一对边平行。
7.根据权利要求1~6任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述光子晶体层和所述光致发光层之间的衬底;
所述衬底与所述光子晶体层晶格匹配。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:位于所述衬底背离所述光子晶体层一侧的遮光层;
所述遮光层具有与所述发光器件一一对应的第一开口区;所述光致发光层位于所述第一开口区。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件包括:在所述光子晶体层背离所述衬底一侧依次叠层设置的N型掺杂半导体层、多重量子阱半导体层、P型掺杂半导体层;
所述光子晶体层、所述N型掺杂半导体层、所述多重量子阱半导体层以及所述P型掺杂半导体层包括同种半导体材料。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述衬底为蓝宝石衬底;
所述光子晶体层、所述N型掺杂半导体层、所述多重量子阱半导体层以及所述P型掺杂半导体层包括氮化镓。
11.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,阵列排布的多个所述发光器件出射蓝光;
多个所述光致发光层包括:吸收蓝光出射红光的红光光致发光层,以及吸收蓝光出射绿光的绿光光致发光层。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其特征在于,多个所述发光器件包括的所述N型掺杂半导体层一体连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的