[发明专利]发光二极管及其制作方法、应用

说明书

本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在基底的一侧表面之上依次沉积形成在厚度方向上层叠设置的底电极、发光层、电子传输层以及顶电极，其中，所述电子传输层的材料为ZnO或ZnMgO，所述顶电极的材料为Al；在所述顶电极的表面涂覆有机酸性处理剂，热退火使所述顶电极的材料下渗至所述电子传输层的材料中，并与电子传输层的材料反应形成掺杂所述顶电极的材料的电子传输层。本发明能够有效降低发光层和电子传输层的能级势垒，增强发光二极管电子注入性能，提升发光二极管的器件性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法、应用。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)因其具有色纯度高、发光颜色随量子点尺寸可调、低工作电压、高亮度、低成本制造等优点，在照明及显示领域受到广泛青睐。

其中，平面显示器件要求具有低工作电压、高电流效率以及高外部量子效率，QLED凭借其优越的性能在该领域中有着广阔的应用前景。近些年来，开展了大量关于量子点材料改进和器件结构优化的研究。

然而，在发光二极管的制作过程中，由于电子传输层与发光层之间存在较大的能级势垒，会导致电子注入困难，使得器件效率降低，该技术缺陷在蓝色量子点发光二极管的制作工艺中尤为突出。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够降低电子传输层与发光层之间的能级势垒，增强电子注入，提高器件效率的发光二极管及其制作方法、应用。

本发明提供一种发光二极管的制作方法，包括如下步骤：

在基底的一侧表面之上依次沉积形成在厚度方向上层叠设置的底电极、发光层、电子传输层以及顶电极，其中，所述电子传输层的材料为ZnO或ZnMgO，所述顶电极的材料为Al；

在所述顶电极的表面涂覆有机酸性处理剂，热退火使所述顶电极的材料下渗至所述电子传输层的材料中，并与电子传输层的材料反应形成掺杂所述顶电极的材料的电子传输层。

在其中一个实施例中，所述发光层的材料为蓝色量子点发光材料。

在其中一个实施例中，所述有机酸性处理剂包括丙烯酸、苯甲酸、甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸以及苯丙酸中的一种或几种。

在其中一个实施例中，热退火的步骤包括：将涂覆所述有机酸性处理剂之后的材料加热至80℃～120℃，烘烤0.5h～2h。

在其中一个实施例中，所述有机酸性处理剂的涂覆厚度为50μm～100μm。

在其中一个实施例中，热退火之后还包括正向老化的步骤，正向老化的电流密度为30mA/cm²～100mA/cm²，老化时间为0.5h～2h。

在其中一个实施例中，所述顶电极的厚度为50nm～200nm。

在其中一个实施例中，还包括如下步骤：

在所述底电极和所述发光层之间形成空穴注入层以及空穴传输层中的至少一层。

在其中一个实施例中，所述基底的材料为具有底电极的ITO、IZO、ZTO以及AZO中的一种或几种；和/或，

所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、HATCN、MoO₃以及Cu₂O中的一种或几种；和/或，

所述空穴传输层的材料为TFB、PVK、NiO、NPB以及TCTA中的一种或几种。

本发明还提供一种发光二极管，是通过上述任一实施例中所述的发光二极管的制作方法制作得到的。

本发明还提供一种显示器件，包括上述的发光二极管。