[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202111255308.7 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN114496839A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 刘俊浩 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明构思涉及一种基板处理装置和基板处理方法,该基板处理方法包括:测量基板的对准状态,该基板放置在传送单元的手部上,该传送单元传送该基板;当基板的对准状态有问题时,通过传送单元将基板传送到基板对准单元;以及通过基板对准单元对准基板的位置,其中,该基板处理方法包括:当在对准状态的测量中测量到基板的对准状态超出传感器读取范围时,在基板装载到基板对准单元之前临时校正基板的位置。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月28日提交韩国专利局的申请号为10-2020-0141436的韩国专利申请的权益,该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法,并且涉及一种用于超出物理对中缓冲器(physical centering buffer)的基板容纳范围的、在手部中的未对准基板的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
为了制造半导体设备,执行各种工艺,例如沉积工艺、照相工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。执行这些工艺中的一些工艺的装置具有多个腔室。在一个腔室中执行了对基板的工艺之后,基板被传送到另一个腔室。
根据一示例,执行照相工艺的基板处理装置包括各种腔室,例如将诸如光刻胶的光敏液体施用到基板的施用腔室、在施用光敏液体之前或之后加热或冷却基板的烘烤腔室、以及曝光基板边缘区域的边缘曝光腔室。基板以预设顺序传送到这些腔室。
基板应当放置在腔室中支承基板的单元上的预定规则位置(predeterminedregular location)。当在基板未放置在规则位置的状态下执行工艺时,很可能发生工艺缺陷。例如,当在基板未对准的状态下执行处理基板边缘区域的工艺时,特定的化学品或冲洗溶液会无意中影响基板的中心,并因此工艺产出的质量不能满足标准。在某些情况下,暴露于化学品或冲洗溶液的基板的中心和边缘可能会损坏。
因此,当在偏离传送单元上的规则位置的情况下传送基板时、或者当基板偏离在腔室中支承基板的单元上的规则位置时,基板应当被对准。
一般而言,当基板的位置超出传感器读取范围或单元容纳范围(unitaccommodation range)时,基板在能够物理对中的对中缓冲单元中在传感器读取范围(sensor reading range)内被对准。在这种情况下,对中缓冲单元的容纳范围应当超出手部中的基板移动范围。
当基板的未对准位置(misalignment location)超出对中缓冲单元的容纳范围时,传送单元停止,并且基板应当人工地(由使用者)移动到中心位置。
图1是示出了当处于偏离容纳范围的状态下的基板在对中缓冲单元中被对准时的问题的视图,而图2是示出了当增加容纳范围以解决图1的问题时的问题的视图。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种即使当基板的未对准位置超出对中缓冲单元的容纳范围时也能够有效地对准基板的基板处理装置和基板处理方法。
此外,本发明构思的实施方案提供一种能够减少对准所需时间并提高基板对准精度的基板处理装置和基板处理方法。
本发明构思的方面不限于此,并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本发明构思的其他未提及方面。
根据一实施方案,一种基板处理方法包括:测量基板的对准状态,该基板放置在传送单元的手部上,该传送单元传送基板;当基板的对准状态有问题时,通过传送单元将基板传送到基板对准单元;以及通过基板对准单元对准基板的位置,其中,该基板处理方法还包括:当在对准状态的测量中测量到基板的对准状态超出传感器读取范围时,在基板装载到基板对准单元之前临时校正基板的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造