[发明专利]低温共烧陶瓷立体封装结构

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，包含：

一中介板，在所述中介板的上表面和下表面的至少一表面的中央部位设有数个芯片输入/输出连接点以及在周缘部位设有数个芯片信号通路节点，所述芯片输入/输出连接点通过埋设在所述中介板中的传导线路而电性连接至所述芯片信号通路节点；

至少一对间隔条，在所述间隔条内部设有数个汇流信号导线，所述汇流信号导线贯穿设置于所述间隔条的上表面和下表面，各所述间隔条分别被设置于所述中介板下表面且呈对边设置，且使所述间隔条的汇流信号导线电性连接至所述中介板的芯片信号通路节点；

至少一半导体芯片，所述半导体芯片电性连接于所述芯片输入/输出连接点；以及

一载板，所述载板上表面的周缘部位设有数个汇流信号节点，在所述载板底表面设有数个汇流信号外接点，所述汇流信号节点通过内埋于所述载板中的传导线路而电性连接至所述汇流信号外接点，所述载板堆叠组合在所述间隔条下面，且使所述间隔条的汇流信号导线电性连接所述载板的汇流信号节点，再由封装胶体包覆所述中介板、所述半导体芯片、所述间隔条与所述载板所构成的堆叠组合体。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述中介板包含至少一陶瓷层及至少一导线层，各所述陶瓷层与各所述导线层彼此之间呈间隔叠层设置，通过低温共烧陶瓷工艺将各叠层烧结后形成所述中介板；在所述导线层上具有至少一沿水平方向设置的传导线路，在所述陶瓷层上设有至少一连通导体，所述陶瓷层的连通导体垂直贯穿所述陶瓷层的上表面和下表面；其中，所述中介板内的传导线路的一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述芯片输入/输出连接点，且另一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述芯片信号通路节点。

3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述间隔条的横向截面形状是选自于矩形、工字形、C形或L形。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述载板包含至少一陶瓷层、至少一导线层及一基底陶瓷层，各所述陶瓷层与各所述导线层彼此之间呈间隔叠层设置，所述基底陶瓷层作为最下面叠层，通过低温共烧陶瓷工艺将各叠层烧结后形成所述载板；在所述陶瓷层上设有至少一连通导体，所述陶瓷层的连通导体垂直贯穿所述陶瓷层的上表面和下表面，其中一所述陶瓷层作为所述载板的最上面叠层，于作为最上面叠层的所述陶瓷层的上表面的周缘部位设置数个所述汇流信号节点；在所述导线层上具有至少一沿水平方向设置的传导线路；在所述基底陶瓷层设有敞露在底表面上的数个所述汇流信号外接点。

5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，在所述载板内，传导线路的一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述汇流信号节点，且另一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述汇流信号外接点。

6.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，该低温共烧陶瓷立体封装结构是设有两对所述间隔条，各所述间隔条分别被设置于所述中介板下表面的四边，使所述间隔条的汇流信号导线电性连接至所述中介板的芯片信号通路节点，且令在任意两个相邻接的所述间隔条之间形成一间隙，所述间隙作为封装胶体的灌注通口。

7.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，还包含在所述堆叠组合体上方电性连接一叠加组合单元，所述叠加组合单元包含：

一所述中介板；

至少一对所述间隔条，所述叠加组合单元的各所述间隔条分别被设置于所述叠加组合单元的中介板下表面的对边，且使所述叠加组合单元的间隔条的汇流信号导线电性连接至所述叠加组合单元的中介板的芯片信号通路节点；以及

至少一半导体芯片，所述叠加组合单元的半导体芯片电性连接于所述叠加组合单元的中介板的芯片输入/输出连接点；

其中，所述叠加组合单元堆叠组合在所述堆叠组合体上面，且使所述叠加组合单元的所述间隔条的汇流信号导线电性连接所述堆叠组合体的所述中介板的芯片信号通路节点。