[发明专利]一种浮栅制作方法在审
| 申请号： | 202111252570.6 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114141618A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 温海东;曹坚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作方法 | ||
1.一种浮栅制作方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有源区，在所述有源区形成多个浮栅结构；
步骤二、依次形成有覆盖所述衬底上表面和所述浮栅结构的第一保护层、附属层和第二保护层，其中所述第一保护层和所述第二保护层用于防止所述附属层被氧化；
步骤三、刻蚀所述浮栅结构区以外全部的以及所述浮栅结构上部分的所述第二保护层和所述附属层，使得所述有源区处未被刻蚀的剩余所述附属层和剩余所述第二保护层保留。
2.根据权利要求1所述的浮栅制作方法，其特征在于，步骤三中刻蚀所述浮栅结构区以外的以及所述多个浮栅上的所述第二保护层和所述附属层至少包括：
步骤A、在所述第二保护层上覆盖光刻胶，再通过光刻将所述浮栅结构以外的所述第二保护层暴露；
步骤B、对所述第二保护层刻蚀，使所述浮栅结构以外的所述附属层暴露，之后去除光刻胶；步骤C、刻蚀步骤B中暴露的所述附属层；
步骤D、在步骤C中的所述附属层表面重新形成第二保护层，刻蚀所述浮栅结构部分的所述第二保护层，其中其余区域为目标区域，使得目标区域处的所述第二保护层保留，被刻蚀的所述第二保护层下方的所述附属层裸露；
步骤E、刻蚀步骤D中裸露的所述附属层。
3.根据权利要求2所述的浮栅制作方法，其特征在于：步骤B中对步骤A中的所述第二保护层刻蚀，其为干法各向同性刻蚀。
4.根据权利要求2所述的浮栅制作方法，其特征在于：步骤C中和步骤E中对所述附属层的刻蚀，其为湿法刻蚀。
5.根据权利要求2所述的浮栅制作方法，其特征在于：步骤D中的刻蚀所述有源区局部的所述第二保护层，其为干法各向异性刻蚀。
6.根据权利要求2的一种浮栅制作方法，其特征在于：步骤D中的目标区域，是所述有源区中所述沟槽区底部的局部或全部部分以及侧壁的全部部分。
7.根据权利要求1所述的一种浮栅制作方法，其特征在于：所述第一保护层为二氧化铪。
8.根据权利要求1所述的一种浮栅制作方法，其特征在于：所述第二保护层为二氧化铪。
9.根据权利要求1所述的一种浮栅制作方法，其特征在于：所述附属层为TiN。
10.根据权利要求1所述的一种浮栅制作方法，其特征在于：所述附属层的厚度为20埃至100埃。
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