[发明专利]一种降低挥发的磁光晶体制备方法在审
| 申请号： | 202111244032.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114108090A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;陈养国;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/10;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 挥发 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低挥发的磁光晶体制备方法，其特征在于采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，适当富Ga2O3，采用自动化提拉炉，采用圆台形铱金坩埚，坩埚开口直径比底部直径大，且坩埚上面放置一片坩埚盖片，中间留孔用于籽晶下种，全程晶体采用自动化生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司，未经福建福晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111244032.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
