[发明专利]一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法

说明书

本发明提供适用范围广且效率高的一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法，包括如下步骤：抽真空，抽真空装置对真空室进行抽真空；预冷却，基材传送装置通过水冷结构对驱动辊进行预冷却；预紧张力，基材传送装置通过驱动辊将基材绷紧，并将基材传送至雾化加热装置的上方；雾化，雾化装置将液态有机镀膜材料进行雾化，并将雾化后的液态有机镀膜材料喷出至加热装置的加热箱体内；汽化，加热装置的加热组件对加热箱体进行加热，从而将雾化后的有机镀膜材料进行加热以使其汽化；附着，涂覆载体组件驱动汽化后的有机镀膜材料从喷口喷出并附着于基材的表面上；冷却成型，预冷却后的驱动辊对附着于基材表面上的有机镀膜材料进行冷却成型。

【技术领域】

本发明涉及真空镀膜领域，尤其是一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法。

【背景技术】

目前在真空状态下常用的薄膜制备方法有磁控溅射、蒸发、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)等，根据所用原材料的特性选取不同的镀膜方式。针对一些镀膜原材料为有机液态物的情况，在真空状态的镀膜方式一般采用PECVD的方式，也有一些采用在大气环境下在基材表面直接涂布的方式来制备薄膜。

在真空状态下采用PECVD的方式来制备薄膜，尤其是在柔性基材上进行镀膜时，此种薄膜的制备方式，对箱体(真空室)内部及传动系统都有一定的污染，从而导致基材在卷绕行走的过程造成损坏，另外其相对效率会也会降低。为了提高效率，增加一次成膜的厚度，就需要增加PECVD源，PECVD源数量的增加则会导致设备的卷绕系统变得复杂，使得薄膜在卷绕过程中容易出现褶皱，对于需要完成不同材料组成的叠加膜层，各源之间就会出现不同程度的相互干扰，而解决干扰问题带来的困扰同样也会使得设备变大，卷绕系统变得复杂，设备加工难度陡增。

如果在大气下通过涂布方式完成膜层的制备，膜层的整体性能达不到真空状态制备的膜层性能，如果采用在真空下涂布的方式，同样无法获得良好的膜层性能，且对腔体造成严重污染，效率低下，无法获得均匀且较薄的膜层。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题是提供适用范围广且效率高的一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法。

本发明的目的是这样实现的：

一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法，包括如下步骤：抽真空，抽真空装置对真空室进行抽真空；预冷却，基材传送装置通过水冷结构对驱动辊进行预冷却；预紧张力，基材传送装置通过驱动辊将基材绷紧，并将基材传送至雾化加热装置的上方；雾化，雾化装置将液态有机镀膜材料进行雾化，并将雾化后的液态有机镀膜材料喷出至加热装置的加热箱体内；汽化，加热装置的加热组件对加热箱体进行加热，从而将雾化后的有机镀膜材料进行加热以使其汽化；附着，涂覆载体组件驱动汽化后的有机镀膜材料从喷口喷出并附着于基材的表面上；冷却成型，预冷却后的驱动辊对附着于基材表面上的有机镀膜材料进行冷却成型。

本发明先通过雾化装置将液态有机镀膜材料进行雾化，雾化后的液态有机镀膜材料呈微小颗粒状，其经加热装置加热后迅速汽化，然后通过涂覆载体组件附着于达基材的表面，然后经过驱动辊冷却成型，从而完成薄膜的涂覆工作。本发明成膜的过程在真空环境下完成，其适用范围广，可以获得较薄的镀膜层，也可以满足厚膜的需要，其均匀性容易控制，效率高，并且可以获得均匀性高和更高膜层性能的薄膜。本发明解决了以往薄膜制备方式效率低、膜层厚度受限、腔体污染及为提高效率导致系统复杂等技术问题，可以更高效的获得性能优良的膜层。

如上所述的一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法，还包括如下步骤：固化传送，基材传送装置将附着有有机镀膜材料的基材传送至紫外固化装置的一侧；固化，紫外固化装置向基材发射紫外线，从而将冷却成型于基材表面上的有机镀膜材料进行紫外固化，从而将有机镀膜材料快速地固化于基材的表面上以提高镀膜的效果。

如上所述的一种新型真空镀膜设备的镀膜控制方法，在所述雾化步骤中，雾化装置将液态有机镀膜材料雾化为20μm的微小颗粒，以利于液态有机镀膜材料后续的汽化效率。