[发明专利]测试结构在审
申请号: | 202111149718.3 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN113903725A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 陈宏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 | ||
本发明提供一种测试结构,所述测试结构包括间隔排布的多个测试焊盘组,所述多个测试焊盘组位于衬底的切割道上,每个所述测试焊盘组包括间隔设置的两个测试焊盘,每个所述测试焊盘中具有一间隔开口,所述间隔开口在厚度方向上贯穿所述测试焊盘,由于所述测试焊盘中具有一间隔开口,当与所述测试焊盘接触的测试探针在所述测试焊盘表面发生滑动时,所述间隔开口可以阻挡所述测试探针的滑动,由此避免测试探针滑动至邻近的金属线,从而避免邻近的测试焊盘之间的短接,进而解决因邻近的测试焊盘之间的短接而造成的测试数据不真实的问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种测试结构。
背景技术
WAT测试(Wafer Acceptance Test)是对测试结构(test key)的测试。对于采用标准制程制作的晶圆,在芯片与芯片之间的切割道上会放上一些用于测试的测试结构(testkey),测试结构(test key)是制作晶圆时预先放置在切割道中的一些专门用于测试制造工艺好坏的特殊图形或电路,图形或电路和工艺相关,通过对测试结构的电性能进行测试,来判断晶圆的电性能。通常情况下,测试结构的顶部设有焊盘(PAD),通过晶圆测试设备的测试探针扎焊盘,即对焊盘加压(over drive),以对测试结构的电性能进行测试。为了提高测试效率,降低测试成本,在进行测试时,需同时对多个测试焊盘进行扎针测试,然而,在实际扎针的过程中,发现测试探针容易滑动,由此接触到邻近的焊盘,导致短路,从而影响测试数据的真实性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测试结构,以解决在测试过程中因测试探针滑动接触到邻近的测试焊盘而导致的短接、测试数据不真实的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种测试结构,所述测试结构包括:
间隔排布的多个测试焊盘组,所述多个测试焊盘组位于衬底的切割道上,每个所述测试焊盘组包括间隔设置的两个测试焊盘,每个所述测试焊盘中具有一间隔开口,所述间隔开口在厚度方向上贯穿所述测试焊盘。
可选的,在所述的测试结构中,所述测试焊盘用于与测试探针电连接,所述间隔开口在水平方向上的截面面积等于或者大于所述测试探针与所述测试焊盘之间的接触面积。
可选的,在所述的测试结构中,所述间隔开口在所述水平方向上的截面呈矩形,所述间隔开口在长度方向上的尺寸为45μm~55μm,在宽度方向上的尺寸为4μm~6μm。
可选的,在所述的测试结构中,所述测试结构还包括一连接焊盘,所述连接焊盘设置于所述多个测试焊盘中的相邻的两个测试焊盘组之间。
可选的,在所述的测试结构中,所述测试结构还包括位于所述衬底的切割道上的多个互连结构,每个所述测试焊盘组的所述两个测试焊盘之间设有一个所述互连结构,所述互连结构与所述两个测试焊盘电连接,并且所述连接焊盘与所述测试焊盘之间设有一个所述互连结构。
可选的,在所述的测试结构中,所述互连结构包括第一金属线、位于所述第一金属线上的第二金属线以及位于所述第一金属线与所述第二金属线之间的多个接触结构,所述第一金属线与所述第二金属线之间通过所述多个接触结构电连接,其中,所述第一金属线的两端通过两个所述接触结构与所述两个测试焊盘电连接。
可选的,在所述的测试结构中,所述第一金属线包括多个间隔设置的第一金属段,所述第二金属线包括多个间隔设置的第二金属段,所述第一金属段与所述第二金属段相错设置,每个所述第一金属段的两端分别通过一个所述接触结构连接于相邻的两个所述第二金属段,多个所述接触结构构成链状接触结构。
可选的,在所述的测试结构中,所述测试结构还包括第三金属线,所述第三金属线与所述多个测试焊盘组和所述互连结构间隔设置,且每个所述互连结构通过所述第三金属线电连接至所述连接焊盘。
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