[发明专利]显示装置及制作方法在审
申请号: | 202111145957.1 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN113937123A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 顾杨;陈发明;韦冬;李庆;于波 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/50 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制作方法 | ||
本发明提供一种显示装置及制作方法,包括:基板,基板包括连接电极;发光二极管,发光二极管设置于所述基板的一侧,且发光二极管和连接电极电连接;隔离层,隔离层设置于所述基板的一侧,隔离层包括隔离槽和围绕隔离槽的隔离单元,所述发光二极管设置于隔离槽中;阻隔结构,阻隔结构设置于发光二极管机远离基板的一侧,阻隔结构包括叠置的第一阻隔层和第二阻隔层,第二阻隔层包括阻隔单元,阻隔单元位于隔离槽中;色转换层,色转换层设置于阻隔结构远离基板一侧,且在基板的厚度方向上,色转换层与发光二极管相对;以及保护层,保护层设置于所述色转换层远离基板的一侧。
技术领域
本发明属于显示技术领域,特别关于一种显示装置及制作方法。
背景技术
Micro/Mini LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro/Mini LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
现有的Micro/Mini LED芯片显示器件,因为红光/绿光Micro/Mini LED芯片在良率和成本上劣于蓝光Micro/Mini LED芯片,通常使用蓝光Micro/Mini LED芯片作为激发光,增加使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示。
目前使用量子点或者荧光粉进行色转换使得Micro/Mini LED进行全彩显示的方案,将量子点或者荧光粉材料制作在独立的基板上作为转换基板,再将其与Micro/MiniLED基板贴合后形成显示器件。这种方式的缺点在于,Micro/Mini LED基板和转换基板之间存在间隙,因此,Micro/Mini LED可能存在串光,导致显示器件显示效果不佳。
另外,目前提出的在Micro/Mini LED芯片上直接制作的量子点或者荧光粉转换层的显示方案,由于量子点或者荧光粉直接接触Micro/Mini LED芯片,Micro/Mini LED芯片工作产生的热量直接影响量子点或者荧光粉,存在色转换层寿命不佳的问题。且,量子点或者荧光粉转换层采用喷墨打印的方式制作在显示器件的基板上,由于基板上本身不同的膜层存在高低差,固化后的量子点或者荧光粉转换层容易出现凹凸不平的区域,此凹凸不平的区域易导致显示器件在不同视角的出光不均,后续封装效果不佳,器件寿命降低,显示效果劣化等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置及制作方法,用于克服现有的显示器件中因色转换层直接制作于Micro/Mini LED芯片导致色转换层材料性能下降的问题以及色转换层表面存在的不均匀区域导致的出光不均,封装效果不佳,器件寿命降低,显示效果劣化等问题。
为解决上述问题,本发明技术方案提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基板,所述基板包括连接电极;发光二极管,所述发光二极管设置于所述基板的一侧,且所述发光二极管和所述连接电极电连接;隔离层,所述隔离层设置于所述基板的一侧,所述隔离层包括隔离槽和围绕所述隔离槽的隔离单元,所述发光二极管设置于所述隔离槽中;阻隔结构,所述阻隔结构设置于所述发光二极管机远离所述基板的一侧,所述阻隔结构包括叠置的第一阻隔层和第二阻隔层,所述第二阻隔层包括阻隔单元,所述阻隔单元位于所述隔离槽中;色转换层,所述色转换层设置于所述阻隔结构远离所述基板一侧,且在所述基板的厚度方向上,所述色转换层与所述发光二极管相对;以及保护层,所述保护层设置于所述色转换层远离所述基板的一侧。
作为可选的技术方案,所述第一阻隔层为无机阻隔层;所述第二阻隔层为有机阻隔层。
作为可选的技术方案,所述有机阻隔层远离所述发光二极管的第一表面为平坦表面。
作为可选的技术方案,所述无机阻隔层覆盖于所述发光二极管的上方,并与所述发光二极管直接接触,且所述有机阻隔层设置于所述无机阻隔层的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的