[发明专利]用于移除粘合剂层的单元及其使用方法在审
申请号: | 202111121301.6 | 申请日: | 2021-09-24 |
公开(公告)号: | CN114256102A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 吴承勋;诸振模;金焕彬 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/08;B08B3/12;B08B1/00 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;刘烽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 粘合剂 单元 及其 使用方法 | ||
1.一种用于移除在处理室中形成的粘合剂层的单元,所述单元包括:
超声波发生器;以及
擦拭件,所述擦拭件浸泡在清洁液中,
其中所述擦拭件被提供来包围所述超声波发生器。
2.根据权利要求1所述的单元,其中所述超声波发生器还包括手柄和振动发生器,所述振动发生器从所述手柄延伸并且产生超声波,在所述振动发生器中包括振动器,并且
其中所述擦拭件包围所述振动发生器。
3.根据权利要求1所述的单元,其中所述粘合剂层被提供为丙烯酸材料。
4.根据权利要求1所述的单元,其中所述清洁液被提供为有机溶剂。
5.根据权利要求1所述的单元,其中所述清洁液被提供为溶解所述粘合剂层的材料。
6.根据权利要求5所述的单元,其中所述清洁液被提供为乙醇。
7.根据权利要求1所述的单元,其中所述处理室被提供为金属材料。
8.根据权利要求1所述的单元,其中所述处理室包括:
第一主体和第二主体,所述第一主体和所述第二主体进行组合而具有用于处理基板的内部空间;
抗摩擦层,所述抗摩擦层在所述第一主体与所述第二主体之间的交界处形成;以及
所述粘合剂层,所述粘合剂层用于将所述抗摩擦层与所述第一主体或所述第二主体进行粘合,
其中所述抗摩擦层被提供为聚酰亚胺。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的单元,其中所述处理室使用超临界液体来干燥设置在所述处理室中的所述基板。
10.一种使用根据权利要求1所述的单元来移除粘合剂层的方法,所述方法包括:
用浸泡有所述清洁液的所述擦拭件包裹所述超声波发生器;以及
使所述擦拭件接触所述粘合剂层,同时向所述擦拭件提供超声波,以在一定方向上推动所述擦拭件。
11.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述超声波发生器还包括手柄和振动发生器,所述振动发生器从所述手柄延伸并且产生超声波,在所述振动发生器中包括振动器,并且
其中所述擦拭件包围所述振动发生器。
12.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述粘合剂层被提供为丙烯酸材料。
13.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述清洁液被提供为溶解所述粘合剂层的材料。
14.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述清洁液被提供为有机溶剂。
15.根据权利要求10所述的用于移除粘合剂层的方法,其中所述清洁液被提供为乙醇。
16.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述处理室被提供为金属材料。
17.根据权利要求10所述的移除粘合剂层的方法,其中所述处理室包括:
第一主体和第二主体,所述第一主体和所述第二主体进行组合而具有用于处理基板的内部空间;
抗摩擦层,所述抗摩擦层在所述第一主体与所述第二主体之间的交界处形成;以及
所述粘合剂层,所述粘合剂层用于将所述抗摩擦层与所述第一主体或所述第二主体进行粘合,
其中所述抗摩擦层被提供为聚酰亚胺。
18.根据权利要求10至权利要求17中任一权利要求所述的移除粘合剂层的方法,其中所述处理室使用超临界液体来干燥设置在所述处理室中的所述基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111121301.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于分析多个互连血管的方法和系统
- 下一篇:用于控制物理系统的设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造