[发明专利]静电卡盘及半导体加工设备

权利要求书

1.一种静电卡盘，应用于半导体加工设备中，包括卡盘本体，其特征在于，所述卡盘本体的上表面设置有凸点结构、中心进气孔和气道结构，其中，所述凸点结构位于所述卡盘本体的上表面的非气道区域中，用于承载晶圆，且所述凸点结构的承载面与所述卡盘本体的上表面之间具有预设间距；

所述气道结构包括环形气道、主气道组和次气道组，其中，所述环形气道位于所述卡盘本体的上表面的边缘处，用以在其内侧限定形成热交换区域；所述主气道组和次气道组均分布在所述热交换区域中，且所述主气道组环绕在所述中心进气孔周围，所述次气道组环绕在所述主气道组周围；

所述主气道组分别与所述中心进气孔和所述次气道组相连通，且设置为能够提高将所述中心进气孔流出的背吹气体输送至所述次气道组的速度；

所述次气道组分别与所述主气道组和所述环形气道相连通，且设置为能够使所述背吹气体在所述热交换区域的不同位置处分布均匀。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述主气道组在所述卡盘本体的上表面上的正投影面积相对于所述卡盘本体的上表面的指定区域面积的占比小于等于50％，所述指定区域面积为以所述上表面的中心为圆心，直径为指定直径的圆面积。

3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述指定直径为50mm。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述主气道组包括围绕所述中心进气孔的周向均匀分布的多条主气道，每条所述主气道均沿所述中心进气孔的径向设置，并且，每条所述主气道的进气端均与所述中心进气孔相连通，每条所述主气道的出气端均与所述次气道组相连通。

5.根据权利要求4所述的静电卡盘，其特征在于，所述主气道的宽度为大于等于0.5mm，且小于等于3mm；所述主气道的深度为大于等于0.1mm，且小于等于0.4mm；所述主气道的数量为大于等于9条，且小于等于20条。

6.根据权利要求4所述的静电卡盘，其特征在于，所述次气道组包括一级子气道组，所述子气道组包括多条次气道，每条所述主气道的出气端均与至少一条所述次气道的进气端相连通，且与同一所述主气道相连通的多条所述次气道自该主气道的出气端向远离所述中心进气孔的不同方向延伸；或者，

所述次气道组包括沿远离所述中心进气孔的方向依次环绕的多级子气道组，每级所述子气道组均包括多条次气道，每条所述主气道的出气端均和与之相邻的一级所述子气道组中的至少一条所述次气道的进气端相连通，且与同一所述主气道相连通的多条所述次气道自该主气道的出气端向远离所述中心进气孔的不同方向延伸；上游一级的每条次气道的出气端均和与之相邻的下游一级的至少一条次气道的进气端相连通，且与上游一级的同一次气道相连通的下游一级的多条次气道自该上游一级的次气道的出气端向远离所述中心进气孔的不同方向延伸。

7.根据权利要求6所述的静电卡盘，其特征在于，所述次气道的宽度为大于等于0.5mm，且小于等于3mm；所述次气道的深度为大于等于0.1mm，且小于等于0.4mm；所述次气道的数量为大于等于9条，且小于等于100条。

8.根据权利要求6所述的静电卡盘，其特征在于，所述次气道组包括两级所述子气道组，分别为第一级气道组和第二级气道组，其中，所述第一级气道组包括多条第一次气道，每条所述主气道的出气端均和其中三条所述第一次气道的进气端相连通，且与同一所述主气道相连通的三条所述第一次气道中，中间的所述第一次气道与该条主气道同轴，两侧的两个所述第一次气道相对于中间的所述第一次气道对称分布；并且，与不同的所述主气道相连通，且相邻的任意两条所述第一次气道的出气端汇聚成第一公共出气端；

所述第二级气道组包括多条第二次气道，与同一所述主气道相连通的三条所述第一次气道中，中间的所述第一次气道的出气端和其中两条所述第二次气道的进气端相连通，每个所述第一公共出气端均和其中两条所述第二次气道的进气端相连通；并且，任意两条相邻的与所述第一次气道的出气端连通的所述第二次气道和与所述第一公共出气端连通的所述第二次气道的出气端汇聚成第二公共出气端，所述第二公共出气端均与所述环形气道相连通。