[发明专利]一种半导体封装用耐高温胶带及其制备方法

说明书

本发明公开了一种半导体封装用耐高温胶带及其制备方法，该耐高温胶带包括如下重量份原料：90‑110份耐高温丙烯酸压敏胶、40‑60份乙酸乙酯、1‑3份环氧固化剂、1‑3份碳纳米管、15‑20份改性环氧树脂；使用耐高温丙烯酸压敏胶体系，使得胶带具有很好的耐高温效果，且胶层耐高温剥离力变化小，封装过程后胶带易移除，且无环氧塑封料泄露的风险，同时该耐高温胶带不易发生热氧老化出现脱落，并在胶层内同步进行防静电处理，胶层剥离电压＜100V，有效地避免了因静电吸附灰尘污染半导体芯片。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种半导体封装用耐高温胶带及其制备方法。

背景技术

QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸡翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能，此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热通道，用于释放封装内的热量，与传统的28引脚PLCC封装相比，32引脚QFN封装的面积(5mmx5mm)缩小了84％，厚度降低了80％，重量减轻了95％，电子封装寄生效应也降低了50％，所以非常适合应用在手机、数码相机、PDA及其他便携电子设备的高密度PCB上，QFN封装过程中还涉及到Gold Wire、Wire Bonding、Molding、MoldingCure、De-flash等一系列工序和长时间高温高压过程，传统的胶带无法满足长时间耐高温，造成封装过程后的产品不良；

本发明涉及在高温高压下用于半导体封装具有耐温可靠性的丙烯酸压敏胶胶带，该胶带适用于粘贴在半导体引线框架背面，在molding工艺制程中起到遮蔽的效果，以防止将树脂渗透到屏蔽区域，且高温后移除后表面无残胶；

现有专利：高压条件下具有增强可靠性的粘胶剂及使用该粘胶剂用于半导体封装的胶带(CN103571412B)所述为热熔胶带，该胶带常温无任何粘性，需要在一定的温度与压力下才能贴合到半导体引线框架背面，贴合过程中需要增设加温加压装置，操作较为繁琐。且该胶带无防静电功能，运输及放卷过程中常因静电吸附灰尘导致污染半导体元器件；

针对此方面的技术缺陷，现提出一种解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体封装用耐高温胶带及其制备方法，通过耐高温丙烯酸压敏胶体系，解决了现阶段半导体封装胶带为硅胶体系压敏胶带和热熔胶带，热熔胶带常温无粘性，贴合过程中需加温加压、能耗高，硅胶压敏胶带需使用价格昂贵的氟素离型膜，且高温封装过程中有硅转移的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种半导体封装用耐高温胶带，包括如下重量份原料：90-110份耐高温丙烯酸压敏胶、40-60份乙酸乙酯、1-3份环氧固化剂、1-3份碳纳米管、15-20份改性环氧树脂；

该耐高温胶带由如下步骤制成：

将耐高温丙烯酸压敏胶、乙酸乙酯、环氧固化剂、碳纳米管、改性环氧树脂混合搅拌均匀后，涂敷在20-30μmPI原膜上，干胶厚4-6μm，贴合20-30μm抗静电离型膜，在温度为45-55℃的条件下，熟化45-50h，制得半导体封装用耐高温胶带。

进一步的，所述的环氧固化剂为二乙烯三胺和三乙烯四胺中的一种或两种任意比例混合。

进一步的，所述的耐高温丙烯酸压敏胶由如下步骤制成：

步骤A1：将1/2质量的单体混合液和1/3质量的混合溶剂加入反应釜中，通入氮气去除氧气，在转速为150-200r/min，温度为70-80℃的条件下，滴加1/2质量的引发剂稀释液，滴加时间为1-2h，滴加完毕后保温0.5-1.5h；