[发明专利]一种半导体封装用耐高温胶带及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111039934.2 申请日: 2021-09-06
公开(公告)号: CN113683980A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 刘杰;梁龙;万中梁;汪峰;李鑫;朱润雨;方超超 申请(专利权)人: 芜湖徽氏新材料科技有限公司
主分类号: C09J7/38 分类号: C09J7/38;C09J133/08;C09J163/00;C09J11/04;C08G59/14
代理公司: 合肥锦辉利标专利代理事务所(普通合伙) 34210 代理人: 陈铄
地址: 238300 安徽省芜湖市无为市无*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 耐高温 胶带 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:包括如下重量份原料:90-110份耐高温丙烯酸压敏胶、40-60份乙酸乙酯、1-3份环氧固化剂、1-3份碳纳米管、15-20份改性环氧树脂;

所述的耐高温丙烯酸压敏胶由如下步骤制成:

步骤A1:将1/2质量的单体混合液和1/3质量的混合溶剂加入反应釜中,通入氮气去除氧气,滴加1/2质量的引发剂稀释液,保温反应;

步骤A2:将剩余单体混合液和2/5质量的引发剂稀释液滴加到反应釜中,保温反应后,将剩余引发剂溶液加入,继续保温反应,加入剩余溶剂混合均匀后,制得耐高温丙烯酸压敏胶。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:所述的单体混合液为丙烯酸、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸羟乙酯、稳粘剂以质量比2:150:50:30:1.5:3混合或丙烯酰胺、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯、醋酸乙烯酯、丙烯酸羟丙酯、稳粘剂以质量比2:160:40:30:1.5:2混合或甲基丙烯酸乙酰乙酸乙酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸羟丙酯、稳粘剂以质量比2:120:80:30:1.5:4中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:所述的混合溶剂为乙酸甲酯、乙酸乙酯、甲苯用量质量比3-7:8-18:15-23混合,引发剂稀释液滴为偶氮二异戊基腈溶于甲苯,引发剂稀释液滴的质量分数为5%。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:所述的改性环氧树脂由如下步骤制成:

步骤B1:将环氧树脂E-44、均苯四甲酸酐、甲苯、丙酮搅拌并加入四丁基溴化铵,进行反应,制得中间体1,将2,6-二叔丁基苯酚、氢氧化钾、四氢呋喃加入反应釜中,回流并滴加丙烯酸甲酯,进行反应,制得中间体2,将中间体2、氢化铝锂、四氢呋喃加入反应釜中,回流并加入甲醇,进行反应,制得中间体3;

步骤B2:将中间体1溶于N,N-二甲基甲酰胺,加入中间体3和4-二甲氨基吡啶,进行反应,制得中间体4,将苯甲酸乙酯溶于丙酮中,搅拌并滴加浓硫酸,升温反应,制得中间体5,将中间体5、N-溴代丁二酰亚胺、过氧化苯甲酰、四氯化碳加入反应釜,进行反应,制得中间体6,将中间体6、碳酸钾、去离子水、溴化四乙基铵加入反应釜中,回流反应,制得中间体7;

步骤B3:将2,4-二叔丁基苯酚、去离子水、浓硫酸、多聚甲醛加入反应釜中,进行反应后,过滤并将滤饼、石油醚、三乙胺混合,加入三氯化磷,进行反应,制得中间体8,将中间体7、中间体8、四氢呋喃、碳酸钠加入反应釜中,进行反应,制得中间体9,将中间体9、中间体3、四氢呋喃、甲醇钠加入反应釜中,回流反应,制得改性环氧树脂。

5.根据权利要求4所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:步骤B1所述的环氧树脂E-44和均苯四甲酸酐的用量摩尔比为2:1,2,6-二叔丁基苯酚、氢氧化钾、丙烯酸甲酯的用量摩尔比为5:1:6,中间体2、氢化铝锂、甲醇的用量摩尔比为1:8:2。

6.根据权利要求4所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:步骤B2所述的中间体1、中间体3、4-二甲氨基吡啶的用量摩尔比为1:1.2:1,苯甲酸乙酯、丙酮、浓硫酸的用量比为5g:2mL:3mL,中间体5、N-溴代丁二酰亚胺、过氧化苯甲酰、四氯化碳的用量比为0.1mol:0.1mol:0.15g:200mL,中间体6、碳酸钾、去离子水、溴化四乙基铵的用量比为3.5g:8g:100mL:3mL。

7.根据权利要求4所述的一种半导体封装用耐高温胶带,其特征在于:步骤B3所述的2,4-二叔丁基苯酚、多聚甲醛、三乙胺、三氯化磷的用量比为1:1:2.2:1.3,中间体7、中间体8、碳酸钠的用量摩尔比1:2:2,中间体9、中间体3、四氢呋喃、甲醇钠的用量比为3mmol:1mmol:10mL:0.025g。

8.根据权利要求1所述的一种半导体封装用耐高温胶带的制备方法,其特征在于:具体包括如下步骤:

将耐高温丙烯酸压敏胶、乙酸乙酯、环氧固化剂、碳纳米管、改性环氧树脂混合搅拌均匀后,涂敷在20-30μmPI原膜上,干胶厚4-6μm,贴合20-30μm抗静电离型膜,在温度为45-55℃的条件下,熟化45-50h,制得半导体封装用耐高温胶带。

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