[发明专利]一种陶瓷混压电路板的制作方法

说明书

本发明公开了一种陶瓷混压电路板的制作方法，所述方法包括以下流程：第一基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶→控深铣→埋陶瓷基板→树脂填空→固化→陶瓷基板保护→树脂打磨，其中，控深铣其控深深度比陶瓷基板四周至少大0.15mm，陶瓷基板内埋后，高度要低于第一基板的板面，防止压合时陶瓷基板受力。本发明通过局部封装区域使用陶瓷材料，其它区域使用FR‑4高TG材料以此来混压，在满足了封装区域高热导率的同时，提高了高密度组装下绝缘性好、高频损耗小的良好特性。

技术领域

本发明涉及印制电路板技术领域，具体为一种陶瓷混压电路板的制作方法。

背景技术

陶瓷基板具有良好的高频性能和电学性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。

随着无线通讯、光纤通信、高速数据网络产品不断更新，信息处理的高速化、无线模拟前端模块化，高频高速电路板在越来越多的产品上应用。而在基板的材料选择上绝缘性佳、介电常数小、损耗因子低、导热系数高的陶瓷基材做为众多设计师们考量的对象。尤其在5G网络的时代，电路板需要满足信号传输高频、高速化。但由于陶瓷基材料价格昂贵，采用整板陶瓷基压合高多层线路板成本高，且整板混压热膨胀系数的差异化而形成涨缩不匹配、压合参数不易管控、及孔壁金属化难等问题。同时陶瓷基板厚度尺寸单一，难于客户不同的板厚需求，大大的减少了应用量及应用领域。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供以下的技术方案：

本发明提供了一种陶瓷混压电路板的制作方法，

所述方法包括以下步骤：

S1：第一基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶→控深铣→埋陶瓷基板→树脂填空→固化→陶瓷基板保护→树脂打磨，其中，所述控深铣其控深深度比陶瓷基板四周至少大0.15mm，所述陶瓷基板内埋后，高度要低于第一基板的板面，防止压合时陶瓷基板受力；

S2：第二基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S3：第三基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S4：第四基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S5：第五基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S6：将S1-S5的五张基板流程做完后，通过层压方式，将基板与半固化片叠压在一起层压。

可选的，所述方法还包括以下步骤：

S7：将所述S6层压后的基板依次包括以下制作流程：

钻孔→等离子→沉铜→负片电镀→外光成像→外光检查→外层蚀刻→外层AOI→印阻焊→阻焊成像→字符→镍钯金→外形→电测，其中所述钻孔设置为激光钻孔，利用短脉冲及高峰值功率的激光在基板上进行钻孔，以达到聚集高密度能量，去除材料形成导通孔工艺，将陶瓷基板区域使用盲孔控深钻孔，其导通层为第一基板与第三基板之间。

可选的，所述第一基板、第二基板、第三基板、第四基板、第五基板均设置为FR-4基板。

可选的，所述S1-S5步骤中的所述烘板流程为170度4小时高温烘烤；

所述S1-S5步骤中的所述内光成像流程为贴干膜或湿膜，用于图形转移；

所述S1-S5步骤中的所述内层蚀刻流程为将未曝光的区域通过化学药水去掉，将导线保留下来用于连接；

所述S1-S5步骤中的所述内层AOI流程为通过图形对比，检查不良缺陷；