[发明专利]一种陶瓷混压电路板的制作方法

权利要求书

1.一种陶瓷混压电路板的制作方法，其特征在于，

所述方法包括以下步骤：

S1：第一基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶→控深铣→埋陶瓷基板→树脂填空→固化→陶瓷基板保护→树脂打磨，其中，所述控深铣其控深深度比陶瓷基板四周至少大0.15mm，所述陶瓷基板内埋后，高度要低于第一基板的板面，防止压合时陶瓷基板受力；

S2：第二基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S3：第三基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S4：第四基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S5：第五基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶；

S6：将S1-S5的五张基板流程做完后，通过层压方式，将基板与半固化片叠压在一起层压；

所述方法还包括以下步骤：

S7：将所述S6层压后的基板依次包括以下制作流程：

钻孔→等离子→沉铜→负片电镀→外光成像→ 外光检查→外层蚀刻→外层AOI→印阻焊→阻焊成像→字符→镍钯金→外形→电测，其中所述钻孔设置为激光钻孔，利用短脉冲及高峰值功率的激光在基板上进行钻孔，以达到聚集高密度能量，去除材料形成导通孔工艺，将陶瓷基板区域使用盲孔控深钻孔，其导通层为第一基板与第三基板之间。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷混压电路板的制作方法，其特征在于，

所述第一基板、第二基板、第三基板、第四基板、第五基板均设置为FR-4基板。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷混压电路板的制作方法，其特征在于，

所述S1-S5步骤中的所述烘板流程为170度4小时高温烘烤；

所述S1-S5步骤中的所述内光成像流程为贴干膜或湿膜，用于图形转移；

所述S1-S5步骤中的所述内层蚀刻流程为将未曝光的区域通过化学药水去掉，将导线保留下来用于连接；

所述S1-S5步骤中的所述内层AOI流程为通过图形对比，检查不良缺陷；

所述S1-S5步骤中的所述内层钻靶流程为用于多层基板叠层铆钉对位使用。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷混压电路板的制作方法，其特征在于，

所述S1步骤中的所述树脂填孔流程为：在真空环境下，使用流动性环氧树脂对镶嵌陶瓷基板与第一基板之间的缝隙进行填充，保证其紧密结合，同时，不允许有气泡、空洞、裂纹等缺陷；

所述S1步骤中的所述固化流程为：将流动性树脂进行烘烤，其参数为150度2小时，其状态为半固化，便于后工序打磨；

所述S1步骤中的所述陶瓷基板保护流程为：使用耐磨软胶保护陶瓷基板区域，防止打磨时磨刷擦花陶瓷板面；

所述S1步骤中的所述树脂打磨流程为：使用布织布对固化后的树脂胶进行表面清理 ，因为是半固化状态，其树脂打磨将堆积的树脂去掉保证其平整度。