[发明专利]像素结构及其制备方法、显示面板

说明书

本申请实施例提供了一种像素结构及其制备方法、显示面板。该像素结构包括：至少两个微型发光晶粒设置在基底的一侧；调光层设置在基底和各微型发光晶粒的一侧，调光层包括第一遮光结构、以及与微型发光晶粒对应的调光结构，各调光结构包括第一颜色转换结构，各调光结构还包括第二颜色转换结构和/或散射结构；滤光层设置在调光层远离基底的一侧；电极层设置在基底远离调光层的一侧，与各微型发光晶粒电连接。本申请实施例通过设置至少两个微型发光晶粒和对应的色转换结构，共同承担在转移和制备的过程中抓取和放置的力，使得第一颜色转换受力控制在安全范围内，降低了破损风险，进而提高了像素结构的良品率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种像素结构及其制备方法、显示面板。

背景技术

由于Micro-LED(MicroLight Emitting Diode，微米量级的发光二极管)芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。在制备包括Micro-LED的设备过程中，需要将数以万计的像素结构转移到阵列基板上。

但是，在转移的过程中，像素结构的色转换结构容易损坏。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种像素结构及其制备方法、显示面板，用以解决现有技术存在的在转移的过程中，像素结构的色转换结构容易损坏的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种像素结构，包括：至少两个微型发光晶粒，设置在基底的一侧；调光层，设置在所述基底和各所述微型发光晶粒的一侧，所述调光层包括第一遮光结构、以及与所述微型发光晶粒对应的调光结构，各所述调光结构包括第一颜色转换结构，各所述调光结构还包括第二颜色转换结构和/或散射结构；滤光层，设置在所述调光层远离所述基底的一侧；电极层，设置在所述基底远离所述调光层的一侧，与各所述微型发光晶粒电连接。

可选地，所述微型发光晶粒包括：层叠的第一半导体结构、发光结构和第二半导体结构，所述第二半导体结构设置在所述发光结构远离所述基底的一侧；所述电极层包括第一电极和至少两个第二电极；所述第二半导体结构与对应的所述第二电极电连接，各所述微型发光晶粒的第一半导体结构，都与同一个所述第一电极电连接。

可选地，像素结构还包括：金属反光结构；所述基底包括第一保护层；所述金属反光结构设置在所述第一保护层远离所述电极层的一侧，各所述微型发光晶粒的第一半导体结构，都设置在所述金属反光结构远离第一保护层的一侧；所述金属反光结构与同一个所述第一电极电连接。

可选地，各所述微型发光晶粒包括共用的第一半导体层，每个所述微型发光晶粒包括层叠的发光结构和第二半导体结构，每个所述微型发光晶粒的发光结构都位于所述第一半导体层远离所述基底的一侧；所述电极层包括第一电极和至少两个第二电极；每个所述第二半导体结构与对应的所述第二电极电连接，所述第一半导体层与所述第一电极电连接。

可选地，所述基底包括反射层。

可选地，所述滤光层包括：依次层叠的第一封装层、滤光膜和第二封装层；所述第二封装层设置在所述第一封装层远离所述调光层的一侧；所述滤光膜包括第二遮光结构和第一色阻，所述滤光膜还包括第二色阻和/或第三色阻；所述第二遮光结构与所述第一遮光结构对应，所述第一色阻与所述第一颜色转换结构对应，所述第二色阻与所述第二颜色转换结构对应，所述第三色阻与所述散射结构对应。

可选地，各所述调光结构包括第一颜色转换结构、第二颜色转换结构和散射结构；所述第一颜色转换结构和所述散射结构沿第一方向间隔设置，所述第二颜色转换结构和所述散射结构沿第二方向间隔设置。