[发明专利]激光照射装置以及激光照射方法在审
| 申请号: | 202111001625.6 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN114188240A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 奥村展;白种埈;苏炳洙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 照射 装置 以及 方法 | ||
本发明公开一种激光照射装置以及激光照射方法。激光照射装置可以包括:激光光源,产生激光束;第一透镜,供在所述激光光源中产生的所述激光束穿过;第一扫描仪,反射穿过所述第一透镜的所述激光束,并改变所述激光束的方向;第二扫描仪,反射在所述第一扫描仪中偏向的所述激光束,并改变所述激光束的方向;多个第二透镜,供在所述第二扫描仪中偏向的所述激光束穿过,并向一方向振动;以及光学元件,供穿过所述多个第二透镜的所述激光束穿过,并校正基板上所述激光束的入射角。由此,可以减少在使非晶半导体膜结晶时产生的结晶斑纹,可以制造高分辨率的显示面板。
技术领域
本发明涉及一种激光照射装置以及激光照射方法,更详细而言涉及一种用于多晶硅制造的激光照射装置以及激光照射方法。
背景技术
在基板上制造薄膜晶体管并将其应用于有源矩阵型的显示装置。与使用非晶半导体膜的薄膜晶体管相比,使用多晶半导体膜的薄膜晶体管具有电子移动率高而可高速工作的优点。对此,正在研究使得在玻璃等的绝缘基板上形成的非晶半导体膜结晶而形成具有结晶结构的多晶半导体膜的技术。
作为非晶半导体膜结晶法,正在探讨使用炉退火的热退火法、快速退火法或者激光退火法等,也可以将它们组合使用。例如,激光退火法具有不用过度改变基板的温度也可以只对结晶区域赋予高能量的优点。
通常,作为用于激光退火的激光束,利用准分子激光(Excimer laser)的脉冲激光。随着激光使用时间增加,脉冲的振荡效率降低而可能导致振荡能量的不均匀,并降低光束形状的均匀性。
以往,通过将线束(lines beam)形态的激光以一定间距(pitch)扫描(scan)到基板上的非晶硅层来执行结晶工艺。
然而,所述线束(lines beam)通常利用气体管(gas tube)来利用气体激光,但是其设备的制造费用以及维护费用相当高。
另外,结晶的尺寸以及形状根据所述激光照射方法而不同,对此进行了用于获得均匀排列的多边形结晶(grain)的各种努力。
发明内容
本发明的一目的在于,提供一种为了减少结晶斑纹而使得多个第二透镜向扫描方向振动并在多个第二透镜下方配置光学元件的激光照射装置。
本发明的另一目的在于,提供一种利用所述激光照射装置的激光照射方法。
然而,本发明的目的不限于这样的目的,在不脱离本发明的构思和领域的范围内可以进行各种扩展。
可以是,用于实现上述的本发明的目的的根据一实施例的激光照射装置包括:激光光源,发射激光束;第一透镜,供从所述激光光源发射的所述激光束穿过;第一扫描仪,反射穿过所述第一透镜的所述激光束,并改变所述激光束的方向;第二扫描仪,反射在所述第一扫描仪中偏向的所述激光束,并改变所述激光束的方向;多个第二透镜,供在所述第二扫描仪中偏向的所述激光束穿过,并向一方向振动;以及光学元件,供穿过所述多个第二透镜的所述激光束穿过,并校正入射基板的所述激光束的入射角。
在实施例中,可以是,所述多个第二透镜改变在所述第二扫描仪中偏向的所述激光束的入射位置。
在实施例中,可以是,所述光学元件向与所述多个第二透镜的振动方向垂直的方向振动。
在实施例中,可以是,所述多个第二透镜的振动周期和所述光学元件的振动周期相同。
在实施例中,可以是,所述多个第二透镜中的至少一个振动。
在实施例中,可以是,所述第一扫描仪为可振动的电流镜(galvano mirror),所述第二扫描仪为可旋转的多面体镜(polygon mirror)。
在实施例中,也可以是,所述光学元件具有形状相同的两个棱镜(prism)粘贴的形态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





