[发明专利]存储器的选择性抑制在审
| 申请号： | 202110993542.3 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114141297A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王虹美;N·N·加杰拉;崔铭栋;F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 选择性 抑制 | ||
1.一种用于存储器的选择性抑制的设备，其包括：
存储器阵列(130、330)，其包括：
第一部分(122-1)，其包括第一多个存储器单元；以及
第二部分(122-2)，其包括第二多个存储器单元；以及
控制电路系统(141)，其配置成：
响应于确定所述第一部分(122-1)通过性能测试而将所述第一部分(122-1)指定为活动的；以及
响应于确定所述第二部分(122-2)未通过所述性能测试而将所述第二部分(122-2)指定为不活动的。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成重映射对应于所述第二部分(122-2)的地址，使得所述地址映射到所述第一部分(122-1)。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一部分(122-1)为所述存储器阵列(130、330)的第一层面(122-1)，且其中所述第二部分(122-2)为所述存储器阵列(130、330)的第二层面(122-2)。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成响应于所述确定所述第二部分(122-2)未通过所述性能测试而将所述第二部分(122-2)置于受抑制状态。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路系统(141)包含于耦合到所述第一部分(122-1)以及所述第二部分(122-2)的系统控制器中。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制电路系统(141)在所述存储器阵列(130、330)的裸片上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成将电路熔丝设定到第一设定以将所述第二部分(122-2)指定为不活动的。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成将电路熔丝设定到第二设定以将所述第一部分(122-1)指定为活动的。
9.一种用于存储器的选择性抑制的设备，其包括：
存储器阵列(130、330)，其包括：
多个部分(122-1、122-2)，其各自包括多个存储器单元；以及
耦合到所述第一部分(122-1)以及所述第二部分(122-2)的系统(100)控制器(140)的控制电路系统(141)，其中所述控制电路系统(141)配置成：
接收对所述多个部分(122-1、122-2)中的每一个进行的性能测试的结果；
使用第一熔丝设定将所述多个部分(122-1、122-2)的未通过所述性能测试的任何部分指定为不活动的；以及
使用第二熔丝设定将所述多个部分(122-1、122-2)的通过所述性能测试的任何部分指定为活动的。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成在未将所述存储器阵列(130、330)指定为不活动的情况下将所述多个部分(122-1、122-2)的任何部分指定为不活动的。
11.根据权利要求9所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成重映射对应于所述多个部分(122-1、122-2)的指定为不活动的任何部分的任何地址，使得所述地址映射到所述多个部分(122-1、122-2)的指定为活动的一部分。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制电路系统(141)配置成将所述重映射写入到熔丝表。
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