[发明专利]在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路

权利要求书

1.一种在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：包括：

在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，实现对DRAM标准单元的位线的控制；

其中，所述第一外加电压线和所述第二外加电压线均分别连接于位线和取反位线之间，所述第一外加电压线处于DRAM标准单元和所述灵敏放大器之间，所述第二外加电压线处于所述灵敏放大器和预充电电路之间。

2.根据权利要求1所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平包括：

当DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据为逻辑1时，将DRAM标准单元的位线接入1/2工作电压；

将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，将DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐拉向0至1/2工作电压的中间值；

将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，将DRAM标准单元的位线拉至GND。

3.根据权利要求1或2所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平包括：

当DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据为逻辑0时，将DRAM标准单元的位线接入1/2工作电压；

将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，将DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐拉向1/2工作电压至1的中间值；

将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，将DRAM标准单元的位线拉至工作电压。

4.根据权利要求3所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法还包括：

在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上之前，对所述位线进行预充电。

5.根据权利要求4所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法还包括：

在对位线预充电后，打开所述位线对应的DRAM标准单元的字线。

6.根据权利要求3所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法还包括：

在将DRAM标准单元的位线拉至GND之后，或者在将DRAM标准单元的位线拉至工作电压之后，关闭DRAM标准单元的字线，并打开DRAM标准单元的取反DRAM标准单元的字线；

关闭取反DRAM标准单元的位线，关闭取反DRAM标准单元。

7.根据权利要求1所述的在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法，其特征在于：所述灵敏放大器包括第一N型晶体管、第二N型晶体管、第一P型晶体管和第二P晶体管；所述第一N型晶体管的一端与DRAM标准单元的位线相连，另一端与所述第二N型晶体管相连，所述第二N型晶体管的另一端与DRAM标准单元的取反位线相连；所述第一P型晶体管的一端与DRAM标准单元的位线相连，另一端与所述第二P型晶体管相连，所述第二P型晶体管的另一端与DRAM标准单元的取反位线相连；所述第一N型晶体管与所述第一P型晶体管的中间连线引出至DRAM标准单元的取反位线；所述第二N型晶体管与所述第二P型晶体管的中间连线引出至DRAM标准单元的位线。