[发明专利]闪存单元的擦除方法

权利要求书

1.一种闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括：

衬底，包括深阱区和设置在深阱区上的阱区；

第一存储晶体管，设置在所述阱区上并且被配置为存储第一数据；

第二存储晶体管，设置在所述阱区上并且被配置为存储第二数据；以及

选通晶体管，在所述阱区上沿水平方向设置在所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管之间，被配置为隔离所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管并且对所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管执行选通操作，

其中，所述第一存储晶体管、所述选通晶体管和所述第二存储晶体管依次串联连接，

其中，所述第一存储晶体管的源极区连接到所述闪存单元的第一电极，所述第二存储晶体管的漏极区连接到所述闪存单元的第二电极，

所述擦除方法包括第一擦除步骤，其包括：

通过将第二电源电压施加到所述阱区，将第一擦除电压施加到所述第一电极，将第二电源电压施加到所述第二电极或者将所述第二电极浮置，将第二擦除电压施加到所述第一存储晶体管的栅电极，将第三擦除电压施加到所述选通晶体管的栅电极，以及将所述第二电源电压施加到所述第二存储晶体管的栅电极或者将所述第二存储晶体管的栅电极浮置，对所述第一存储晶体管执行擦除操作，以及

通过将第二电源电压施加到所述阱区，将所述第二电源电压施加到所述第一电极或者将所述第一电极浮置，将所述第一擦除电压施加到所述第二电极，将所述第二电源电压施加到所述第一存储晶体管的栅电极或者将所述第一存储晶体管的栅电极浮置，将所述第三擦除电压施加到所述选通晶体管的栅电极，以及将所述第二擦除电压施加到所述第二存储晶体管的栅电极，对所述第二存储晶体管执行擦除操作，

其中，所述第一擦除电压高于预设电压，所述第二擦除电压等于或低于所述第二电源电压，所述第三擦除电压等于或低于所述第二电源电压，以及

其中，所述预设电压是根据所述衬底与所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管的栅介质叠层之间的界面处的载流子势垒高度预先设定的。

2.根据权利要求1所述的擦除方法，其中，

所述第二电源电压为地电压，

所述第一擦除电压在3 V至8 V的范围内，以及

所述第二擦除电压在-8 V至0 V的范围内。

3.根据权利要求1所述的擦除方法，还包括第二擦除步骤，其包括：

通过将第二电源电压施加到所述阱区，将所述第一擦除电压施加到所述第一电极和所述第二电极，将所述第三擦除电压施加到所述选通晶体管的栅电极，以及将所述第二擦除电压施加到所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管的栅电极，同时对所述第一存储晶体管和所述第二存储晶体管执行擦除操作。

4.根据权利要求3所述的擦除方法，其中，

在所述闪存单元的擦除操作期间，通过带带隧穿热载流子注入机制来对所述第一存储晶体管或所述第二存储晶体管执行擦除操作。

5.根据权利要求3所述的擦除方法，还包括第三擦除步骤，其包括：

通过将第四擦除电压施加到所述阱区和所述第一电极，将所述第四擦除电压施加到所述第二电极或者将所述第二电极浮置，将第五擦除电压施加到所述第一存储晶体管的栅电极，将所述第二电源电压施加到所述选通晶体管的栅电极，以及将所述第二电源电压施加到所述第二存储晶体管的栅电极或者将所述第二存储晶体管的栅电极浮置，对所述第一存储晶体管执行擦除操作；以及

通过将所述第四擦除电压施加到所述第一电极或者将所述第一电极浮置，将所述第四擦除电压施加到所述阱区和所述第二电极，将所述第二电源电压施加到所述第一存储晶体管的栅电极或者将所述第一存储晶体管的栅电极浮置，将所述第二电源电压施加到所述选通晶体管的栅电极，以及将所述第五擦除电压施加到所述第二存储晶体管的栅电极，对所述第二存储晶体管执行擦除操作，其中

所述第二电源电压为地电压，所述第四擦除电压在0 V至20 V的范围内，以及所述第五擦除电压在-10 V至0 V的范围内。