[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括有源区和位于所述有源区外围的无源区；

设置于所述半导体层无源区的源极测试焊盘、漏极测试焊盘和栅极测试焊盘，

所述漏极测试焊盘包括层叠设置的漏极底层金属和漏极顶层金属，所述栅极测试焊盘包括层叠设置的栅极底层金属和栅极顶层金属，

在所述漏极底层金属和所述漏极顶层金属、所述栅极底层金属和所述栅极顶层金属之间分别设置有介质层，所述栅极底层金属和所述漏极底层金属分别与所述源极测试焊盘通过导电结构连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极测试焊盘包括层叠设置的源极底层金属和源极顶层金属，所述源极底层金属分别通过所述导电结构与所述栅极底层金属和所述漏极底层金属连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述源极底层金属和所述源极顶层金属之间设置有介质层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构横跨于所述半导体层上的切割道。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极底层金属和所述半导体层之间、所述漏极底层金属和所述半导体层之间分别设置有欧姆金属，所述导电结构包括位于所述半导体层无源区的二维电子气电阻，所述栅极底层金属和所述漏极底层金属分别与所述源极测试焊盘通过所述二维电子气电阻电性连接。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构还包括第一折线电感和第二折线电感，所述栅极底层金属与所述源极测试焊盘通过所述二维电子气电阻和所述第一折线电感串联，所述漏极底层金属与所述源极测试焊盘通过所述二维电子气电阻和所述第二折线电感串联。

7.如权利要求1至4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述导电结构包括设置于所述半导体层无源区的薄膜电阻，所述栅极底层金属和所述漏极底层金属分别与所述源极测试焊盘通过所述薄膜电阻电性连接。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻为折线电阻。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体层无源区还设置有栅极打线焊盘，所述栅极打线焊盘依次通过连接金属和薄膜电阻与所述栅极顶层金属串联；在所述半导体层无源区还设置有漏极打线焊盘，所述漏极打线焊盘通过连接金属与所述漏极底层金属串联。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述连接金属横跨于所述半导体层上的切割道。