[发明专利]基板处理系统以及状态监视方法在审
申请号: | 202110983213.0 | 申请日: | 2021-08-25 |
公开(公告)号: | CN114203578A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 兒玉俊昭 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 以及 状态 监视 方法 | ||
本发明提供一种基板处理系统以及状态监视方法,该基板处理系统具备:基板处理装置,其对处理基板进行处理;基板搬送机构,其具有保持基板的基板保持部,基板搬送机构构成为能够通过基板保持部来保持基板并相对于基板处理装置搬入和搬出该基板;摄像装置,其设置于基板搬送机构,用于拍摄基板处理装置内的监视对象构件;以及控制装置,其中,控制装置使基板保持部移动,并使摄像装置拍摄监视对象构件中的多个部分,该多个部分包括在进行处理时与基板的中央相向的中央部以及在进行处理时与基板的周缘侧相向的周缘部,控制装置基于拍摄结果,针对监视对象构件中的多个部分分别计算表示该部分的状态的物理量。
技术领域
本公开涉及一种基板处理系统以及状态监视方法。
背景技术
专利文献1中公开了一种测定系统,该测定系统用于对具有处理容器、载置台以及聚焦环的等离子体蚀刻装置中的聚焦环的消耗量进行测定,该测定系统具备设置有距离传感器的传感器基板以及用于测定聚焦环的消耗量的测定装置。在该系统中,测定装置具有:搬送指示部,其指示搬送措施,来使测定装置搬送到处理容器内;获取部,其获取距离传感器测定出的与从距离传感器到聚焦环的距离相应的物理量的信息;以及测定部,其基于获取到的物理量的信息,来测定聚焦环的消耗量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-100407号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术在不使基板处理装置内向大气开放地监视基板处理装置内的构件的状态的情况下,即使在上述构件的状态在处理时的与基板的中央相向的部分以及与该基板的周缘侧相向的部分不同时,也能够在基于监视结果进行了上述构件的更换时期的判定等时,得到适当的结果。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式是一种基板处理系统,具备:基板处理装置,其对基板进行处理;基板搬送机构,其具有保持基板的基板保持部,所述基板搬送机构构成为能够通过所述基板保持部来保持基板并相对于所述基板处理装置搬入和搬出该基板;摄像装置,其设置于所述基板搬送机构,用于拍摄所述基板处理装置内的监视对象构件;以及控制装置,其中,所述控制装置使所述基板保持部移动,并使所述摄像装置拍摄所述监视对象构件中的多个部分,所述多个部分包括在进行处理时与基板的中央相向的中央部以及在进行处理时与基板的周缘侧相向的周缘部,所述控制装置基于拍摄结果,针对所述监视对象构件中的所述多个部分分别计算表示该部分的状态的物理量。
发明的效果
根据本公开,在不使基板处理装置内向大气开放地监视基板处理装置内的构件的状态的情况下,即使在上述构件的状态在处理时的与基板的中央相向的部分以及与该基板的周缘侧相向的部分不同时,也能够在基于监视结果进行了上述构件的更换时期的判定等时,得到适当的结果。
附图说明
图1是示出本实施方式所涉及的作为基板处理系统的晶圆处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是示出处理装置的结构的概要的纵截面图。
图3是静电吸盘的部分放大截面图。
图4是示意性地示出晶圆搬送机构的结构的侧视图。
图5是示出叉的结构的概要的俯视图。
图6是示出在对处理装置的电极板进行监视的处理中使用的摄像图像的一例的概要的图。
图7是示出摄像单元的其它例的图。
附图标记说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110983213.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造