[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括：依次层叠的基板和发光结构；所述基板远离所述发光结构的表面设有多个凸起，在与所述基板远离所述发光结构的表面平行的方向上，所述凸起远离所述基板的边缘的侧面设有第一反射层。本公开实施例能增大微型发光二极管芯片的侧面出光比例，改善出射光的张角过小的问题，保证发光效果。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种微型发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，微型发光二极管的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，微型发光二极管芯片通常包括基板、外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的n型层、多量子阱层和p型层。P型电极和n型电极均设置外延结构的同一侧，基板和p型电极位于外延结构的异侧。

为保证较高的发光效果，通常需要微型发光二极管芯片在不同的观察角度下发光强度基本相同。然而，相关技术中，微型发光二极管芯片在垂直方向的发光效果较好，但是在偏离于垂直方向上(与垂直方向呈角度的方向)，微型发光二极管芯片的发光强度会明显下降，导致微型发光二极管芯片的侧面发光偏弱，影响发光效果。

发明内容

本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，能够增大微型发光二极管芯片的侧面出光比例，改善出射光的张角过小的问题，保证发光效果。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片，所述微型发光二极管芯片包括：依次层叠的基板和发光结构；所述基板远离所述发光结构的表面设有多个凸起，在与所述基板远离所述发光结构的表面平行的方向上，所述凸起远离所述基板的边缘的侧面设有第一反射层。

可选地，所述凸起远离所述基板的边缘的侧面为斜面。

可选地，所述第一反射层为金属膜层。

可选地，在与所述基板远离所述发光结构的表面平行的方向上，所述凸起靠近所述基板的边缘的侧面设有增透层。

可选地，所述增透层为氧化硅层。

可选地，所述增透层的厚度为微型发光二极管芯片的光线的波长的四分之一.

可选地，从所述基板的边缘至所述基板的中央，所述基板的表面分布有多组凸起，每组凸起包括沿所述基板的边缘排列的多个所述凸起。

可选地，从所述基板的边缘至所述基板的中央，各组凸起中所述凸起的数量逐渐减小。

可选地，所述发光结构包括：第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、钝化层、第一电极和第二电极；所述第一半导体层、所述多量子阱层和所述第二半导体层依次层叠在所述基板上，所述第二电极位于所述第二半导体层表面，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述第一半导体层的表面，且位于所述凹槽的底面；所述钝化层至少覆盖所述第一半导体层、所述第一电极、所述凹槽、所述第二半导体层、所述第二电极的表面；所述钝化层远离所述基板的表面设有多个锥形凹槽，所述锥形凹槽的侧壁设有第二反射层。

另一方面，本公开实施例还提供了一种微型发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成发光结构；

在所述基板远离所述发光结构的表面形成多个凸起，在与所述基板远离所述发光结构的表面平行的方向上，所述凸起远离所述基板的边缘的侧面设有第一反射层。