[发明专利]一种高功率密度半导体器件的散热底板及其装配方法在审
| 申请号： | 202110976612.4 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113745178A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 于凯;王晓丽 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;B23K31/02 |
| 代理公司： | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人： | 胡维 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率密度 半导体器件 散热 底板 及其 装配 方法 | ||
1.一种高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，包括：相互独立的Pin-fin板(3)和焊接底板(1)，且两者通过紧固件可拆卸连接，所述Pin-fin板(3)和焊接底板(1)之间设置有缓冲层(4)。
2.根据权利要求1所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述缓冲层(4)采用导热材料制成。
3.根据权利要求1所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述Pin-fin板(3)的上表面设置有用于安装焊接底板(1)的放置区。
4.根据权利要求3所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述焊接底板(1)与缓冲层(4)的总厚度与所述放置区的深度相同。
5.根据权利要求1所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述Pin-fin板(3)的下表面均匀分布有多个Pin-fin针(2)。
6.根据权利要求5所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，多个所述Pin-fin针(2)与Pin-fin板(3)呈一体式结构。
7.根据权利要求1所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述Pin-fin板(3)和焊接底板(1)通过螺钉连接，所述Pin-fin板(3)、焊接底板(1)和缓冲层(4)上分别设置有与所述螺钉相适配的安装孔。
8.根据权利要求7所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述焊接底板(1)呈矩形。
9.根据权利要求8所述的高功率密度半导体器件的散热底板，其特征在于，所述螺钉的数量为四个，且四个螺钉均匀分布于矩形焊接底板(1)的四个拐角处。
10.基于权利要求1所述的散热底板的装配方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
将子模组(5)、焊片(6)及焊接底板(1)由上至下依次放置完成待焊组件与焊接底板(1)的装配；
将装配后的焊接底板(1)放置在预设的托盘上，将所述托盘放置在加热板(7)上进行焊接；
完成焊接后，将焊接板与Pin-fin板(3)通过紧固件安装。
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