[发明专利]一种发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置。发光器件包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，发光二极管芯片和第一无机封装层通过粘性层粘结，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性层的一侧。本公开实施例的技术方案，避免了发光二极管芯片与色转换层之间间隙的漏光，提高了发光器件的亮度，适用于Mini LED和Micro LED。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)芯片作为显示技术的关键技术，已经成为显示行业的一种趋势。更小的LED尺寸更容易实现高分辨率，比如4K甚至8K分辨率智能手机或虚拟现实装置等。

对于虚拟现实装置，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)面板的响应时间已经降低至微秒级别，拥有非常不错的响应时间等级，已经成为虚拟现实应用最理想的选择。发光二极管芯片可以包括次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiode，简称Mini LED)芯片和微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称MicroLED)芯片。Micro LED的响应时间可以降低到纳秒级别，响应速度相比于OLED提高了1000倍。并且Micro LED显示装置在对比度、色域和柔性显示方面拥有更大的优势。

现有技术中的LED显示装置存在漏光问题。

发明内容

本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种发光器件，包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，发光二极管芯片和第一无机封装层通过粘性层粘结，发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离粘性层的一侧。

在一些可能的实现方式中，粘性层的厚度范围为1μm至3μm。

在一些可能的实现方式中，封装结构层包括第二无机封装层，以及位于第二无机封装层背离色转换层一侧的有机封装层。

在一些可能的实现方式中，发光器件还包括衬底和激光解离层，激光解离层位于封装结构层背离色转换层的一侧，衬底位于激光解离层背离色转换层的一侧。

在一些可能的实现方式中，色转换层被配置为将自发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射，色转换层包括量子点材料层和包围在量子点材料层的侧面的挡墙，挡墙的径向宽度大于或等于1μm。

在一些可能的实现方式中，封装结构层、色转换层、第一无机封装层和粘性层在封装结构层所在平面上的正投影均位于发光二极管芯片在封装结构层所在平面上的正投影的范围内。

在一些可能的实现方式中，发光器件还包括阻光层，阻光层至少包围在第一无机封装层的侧面、粘性层的侧面和发光二极管芯片的侧面，发光二极管芯片的第一电极和第二电极均暴露。

在一些可能的实现方式中，阻光层的厚度的范围为1000埃至5000埃。

作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种发光器件的制备方法，包括：

在衬底的一侧形成激光解离薄膜；

在激光解离薄膜背离衬底的一侧形成封装结构薄膜；

在封装结构薄膜背离衬底的一侧形成挡墙界定层和量子点材料层，挡墙界定层开设有多个开口，量子点材料层位于开口内；

在挡墙界定层和量子点材料层背离衬底的一侧形成第一无机封装薄膜；

在第一无机封装薄膜背离衬底的一侧贴附粘性薄膜；