[发明专利]一种发光器件及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括依次叠层设置的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和发光二极管芯片，所述发光二极管芯片和所述第一无机封装层通过所述粘性层粘结，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离所述粘性层的一侧。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述粘性层的厚度范围为1μm至3μm。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述封装结构层包括第二无机封装层，以及位于所述第二无机封装层背离所述色转换层一侧的有机封装层。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括衬底和激光解离层，所述激光解离层位于所述封装结构层背离所述色转换层的一侧，所述衬底位于所述激光解离层背离所述色转换层的一侧。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述色转换层被配置为将自所述发光二极管芯片入射的第一颜色光线转换为另一种颜色光线出射，所述色转换层包括量子点材料层和包围在所述量子点材料层的侧面的挡墙，所述挡墙的径向宽度大于或等于1μm。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述封装结构层、所述色转换层、所述第一无机封装层和所述粘性层在所述封装结构层所在平面上的正投影均位于所述发光二极管芯片在所述封装结构层所在平面上的正投影的范围内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括阻光层，所述阻光层至少包围在所述第一无机封装层的侧面、所述粘性层的侧面和所述发光二极管芯片的侧面，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极均暴露。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述阻光层的厚度的范围为1000埃至5000埃。

9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底的一侧形成激光解离薄膜；

在所述激光解离薄膜背离所述衬底的一侧形成封装结构薄膜；

在所述封装结构薄膜背离所述衬底的一侧形成挡墙界定层和量子点材料层，所述挡墙界定层开设有多个开口，所述量子点材料层位于所述开口内；

在所述挡墙界定层和所述量子点材料层背离所述衬底的一侧形成第一无机封装薄膜；

在所述第一无机封装薄膜背离所述衬底的一侧贴附粘性薄膜；

将发光二极管芯片粘结于所述粘性薄膜，所述发光二极管芯片在所述衬底上的正投影包含对应的所述量子点材料层在所述衬底上的正投影，所述发光二极管芯片的第一电极和第二电极朝向远离所述粘性薄膜的一侧。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

以所述发光二极管芯片为掩膜，对所述发光二极管芯片之外的区域进行刻蚀，形成在所述衬底的一侧依次叠设的激光解离层、封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层和所述发光二极管芯片，所述色转换层包括所述量子点材料层以及包围在所述量子点材料层的侧面的挡墙。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述发光二极管芯片的背离所述衬底的一侧沉积阻光薄膜；

对所述阻光薄膜进行图案化处理，以去除位于所述发光二极管芯片的背离所述衬底一侧表面上的阻光薄膜；

采用激光照射所述衬底的背离所述激光解离层的一侧，使所述激光解离层解离，以将所述发光器件与所述衬底分离，所述发光器件包括依次叠设的封装结构层、色转换层、第一无机封装层、粘性层、发光二极管芯片和阻光层，所述阻光层包围在所述封装结构层的侧面、所述色转换层的侧面、所述第一无机封装层的侧面、所述粘性层的侧面和所述发光二极管芯片的侧面。