[发明专利]清洁装置及半导体结构的制作系统

说明书

本申请提供一种清洁装置及半导体结构的制作系统，涉及半导体技术领域，解决静电吸盘与晶圆之间的吸附效果差的技术问题，该清洁装置包括清洁组件，清洁组件包括喷淋单元和清洁单元；其中，喷淋单元用于对静电吸盘喷出清洁介质；清洁单元用于对静电吸盘进行清扫。该半导体结构的制作系统包括上述清洁装置。本申请用于对静电吸盘进行清洗，从而提高晶圆与静电吸盘表面的吸附效果，进而提高晶圆的良率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洁装置及半导体结构的制作系统。

背景技术

在半导体制造领域，静电吸盘(Electro static chuck，简称ESC)是用于固定晶圆和控制晶圆温度的重要部件之一，通常，静电吸盘包括依次层叠设置的基座、黏着层和绝缘层，绝缘层产生的静电力吸附晶圆，以将晶圆固定在绝缘层上，并通过绝缘层槽道中的氦气和基座中的循环冷却液使晶圆表面保持在设定温度。然而，相关技术中，在晶圆制作工艺过程中，一部分反应生成的聚合物的副产物容易沉积并残留在绝缘层的槽道中，导致静电吸盘的表面与晶圆之间的吸附效果差，从而导致晶圆的良率低的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种清洁装置及半导体结构的制作系统，用于对反应腔室内的静电吸盘进行清洗，从而提高晶圆与静电吸盘表面的吸附效果。

为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供一种清洁装置，用于对反应腔室内的静电吸盘进行清洗，其包括：清洁组件，所述清洁组件包括喷淋单元和清洁单元；其中，所述喷淋单元用于对所述静电吸盘喷出清洁介质；所述清洁单元用于对所述静电吸盘进行清扫。

与相关技术相比，本申请实施例提供的清洁装置，至少具有如下优点：

本申请实施例提供的清洁装置中，通过设置清洁组件，清洁组件包括喷淋单元和清洁单元，通过喷淋单元对静电吸盘喷出清洁介质，通过清洁单元对静电吸盘进行清扫，以提高静电吸盘的清洁度，从而提高静电吸盘对晶圆的吸附效果，进而提高晶圆的良率；另外，可避免将静电吸盘拆卸后送外清洗，能够减少对静电吸盘的拆装工序，从而提高工作效率。

第二方面，本申请实施例还提供一种半导体结构的制作系统，其包括壳体、静电吸盘和第一方面提供的清洁装置，壳体具有反应腔室，静电吸盘位于反应腔室内，清洁装置用于清洗静电吸盘。

本申请实施例提供的半导体结构的制作系统的有益效果与上述清洁装置的有益效果相同，在此不再赘述。

除了上面所描述的本申请实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本申请实施例提供的清洁装置及半导体结构的制作系统所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的清洁装置的第一种结构示意图；

图2为本申请实施例提供的清洁装置的第二种结构示意图；

图3为本申请实施例提供的清洁装置的第三种结构示意图；

图4为本申请实施例提供的清洁装置的第四种结构示意图；

图5为本申请实施例提供的清洗后的静电吸盘的结构示意图。

附图标记：

100-清洁装置； 110-喷淋单元；