[发明专利]半导体封装材料，基板材料的制备方法，由此得到的半导体封装材料，基板材料及其应用

权利要求书

1.一种半导体封装材料，基板材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

S1，提供包括T单位的球形或不定形聚硅氧烷，其中，T单位＝R₁SiO₃-，R₁为可独立选择的碳原子1至16的烃基或氢原子；

S2，在非氧化性气体或真空下进行热处理得到热处理粉体，热处理温度介于600度-800度之间，以使得热处理粉体内部的有机基热分解成碳元素，同时使得热处理粉体的表面的硅羟基缩合形成表面致密层；

S3，进行煅烧得到黑色球形或不定形氧化硅填料，煅烧温度大于800度且低于1100度，以缩合剩余的硅羟基；

S4，将所述黑色球形或不定形氧化硅填料紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料，基板材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，聚硅氧烷还包括Q单位、D单位和/或M单位，其中，Q单位＝SiO₄-，D单位＝R₂R₃SiO₂-，M单位＝R₄R₅R₆SiO-，R₂，R₃，R₄，R₅，R₆分别为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的烃基。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，聚硅氧烷的T单位原料为烃基三烷氧基硅烷或烃基三氯硅烷，Q单位原料选自由四烷氧基硅烷，四氯化硅和二氧化硅组成的组中的至少一种，D单位原料选自由二烃基二烷氧基硅烷和二烃基二氯硅烷组成的组中的至少一种，M单位原料选自由三烃基烷氧基硅烷，三烃基氯硅烷和六烃基二硅氮烷组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中的非氧化性气体为氮气、惰性气体、二氧化碳或氢气。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中的煅烧气体氛围为非氧化性气体氛围或氧化性气体氛围。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中得到的黑色球形或不定形氧化硅填料的白度＜60％。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，使用干法或湿法的筛分或惯性分级来除去黑色球形或不定形氧化硅填料中的1、3、5、10、20、45、55或75微米以上的粗大颗粒。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述黑色球形或不定形氧化硅填料通过表面处理剂处理后紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料，基板材料。

9.一种根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法得到的半导体封装材料，基板材料。

10.一种根据权利要求9所述的半导体封装材料，基板材料的应用。