[发明专利]基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法

说明书

本发明提供了基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法。该表面处理方法包括以下步骤：提供基体，基体的一侧表面为非平整表面；在非平整表面上覆盖流体薄膜，使流体薄膜远离基体的一侧具有第一平整表面；将流体薄膜固化，得到具有第二平整表面的平坦层；沿第二平整表面对基体进行平坦化处理，使基体具有第三平整表面。在非平整表面覆盖上述流体薄膜后，平坦化工艺的对象由现有技术中基体的非平整表面变成流体薄膜固化后得到的平坦层的平整表面，从而降低了平坦化工艺的难度，保证了表面处理后基体表面的平整性。

技术领域

本发明涉及表面处理技术领域，具体而言，涉及一种基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法。

背景技术

在目前制作半导体器件的工艺中，平坦化处理是必不可少的工序，通过平坦化处理使基体表面平整，以保证在基体上形成的各功能层的工艺制程的稳定性，从而保证半导体器件的性能。

在现有技术中对诸如衬底等基体的平坦化工艺中，通常采用化学机械研磨(CMP)工艺，然而，当基体表面的高度落差较大或局部有特殊形貌的出现时，会导致CMP工艺难度增大，从而使基体难以具有平整表面。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种基体的表面处理方法、预处理衬底以及存储器的制作方法，以解决现有技术中半导体器件的制作工艺中基体表面平坦化难度较大的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种基体的表面处理方法，包括以下步骤：提供基体，基体的一侧表面为非平整表面；在非平整表面上覆盖流体薄膜，使流体薄膜远离基体的一侧具有第一平整表面；将流体薄膜固化，得到具有第二平整表面的平坦层；沿第二平整表面对基体进行平坦化处理，使基体具有第三平整表面。

进一步地，非平整表面具有凸起表面区域和凹陷表面区域，凸起表面区域和凹陷表面区域之间的最大高度差为H₁，流体薄膜具有最大厚度H₂，H₁＜H₂。

进一步地，在非平整表面上覆盖流体薄膜的步骤包括：将流体材料涂布于非平整表面上；静置基体，以使流体材料中的部分完全覆盖凸起表面区域和凹陷表面区域。

进一步地，在沿第二平整表面对基体进行平坦化处理的步骤之前，表面处理方法还包括以下步骤：将平坦层减薄，以去除位于凸起表面区域和凹陷表面区域上方的至少部分平坦层。

进一步地，流体薄膜包括有机流体材料和/或无机流体材料。

进一步地，流体薄膜包括光阻剂和/或有机流体氧化硅。

进一步地，采用化学机械研磨工艺沿第二平整表面对基体进行平坦化处理。

进一步地，基体为衬底。

根据本发明的另一个方面，提供了一种预处理衬底，该预处理衬底为采用上述的衬底的表面处理方法处理后的衬底。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种存储器的制作方法，包括以下步骤：提供衬底，采用上述的基体的表面处理方法对衬底进行表面处理；在表面处理后的衬底上形成存储器。

应用本发明的技术方案，提供了一种基体的表面处理方法，该方法在基体的非平整表面上覆盖流体薄膜，使流体薄膜远离基体的一侧具有第一平整表面，并将流体薄膜固化，得到具有第二平整表面的平坦层，然后沿第二平整表面对基体进行平坦化处理，使基体具有第三平整表面。在非平整表面覆盖上述流体薄膜后，平坦化工艺的对象由现有技术中基体的非平整表面变成流体薄膜固化后得到的平坦层的平整表面，从而降低了平坦化工艺的难度，保证了表面处理后基体表面的平整性。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：